[发明专利]包括缓冲器和主存储器的存储装置及用户装置

说明书

本发明提供了存储装置和用户装置，所述存储装置包括：非易失性存储器，其包括缓冲区和主区；以及存储器控制器，其响应于写请求将连续接收到的写数据的块存储在非易失性存储器。存储器控制器配置为：当连续计数超过参考计数时，首先将连续接收到的写数据的块之中的各块存储在非易失性存储器的主区中，以及随后将连续接收到的写数据的块之中的剩余各块存储在缓冲区中。所述连续计数表示连续接收到的块的数据大小持续等于或超过参考数据大小的次数。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年1月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0006010的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本文所述的本发明构思的实施例涉及存储装置以及包括存储装置的用户装置，并且更具体地说，涉及配置为根据待存储的写数据的特征控制写速度的这种装置。

背景技术

存在包括一个或多个数据存储介质的许多电子装置，例如个人计算机(PC)、数码相机、摄像机、便携式电话、智能电话和平板PC。这类存储介质的示例包括存储卡、通用串行总线(USB)卡、固态盘(SSD)、嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)等。无论是何种类型，所述存储介质都可包括半导体存储器以在其中存储数据。

通常将半导体存储器分类为易失性或非易失性。易失性存储器在断电状态下遭受所存储的数据的丢失，并且其示例包括动态随机存取存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)等。相反，非易失性存储器即使在断电状态下也保持所存储的数据，并且其示例包括闪速存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)等。特别地，闪速存储器因其相对高的编程速度和低功耗而作为大容量存储装置广受欢迎。

发明内容

本发明构思的实施例的一个方面在于提供一种存储装置，该存储装置包括：非易失性存储器，其包括缓冲区和主区；以及存储器控制器，其响应于写请求而将连续接收到的写数据的块存储在所述非易失性存储器。所述存储器控制器配置为：当连续计数等于或超过参考计数时，首先将连续接收到的写数据的块之中的各块存储在所述非易失性存储器的主区中，并且随后将连续接收到的写数据的块之中的剩余各块存储在所述缓冲区中。所述连续计数表示连续接收到的块的数据大小持续等于或超过参考数据大小的次数。

可在所述缓冲区的每个存储器单元存储N位数据，并且可在所述主区的每个存储器单元存储M位数据，其中N和M是整数。

所述存储器控制器可包括：模式管理器，其配置为使得写模式在数据存储于所述缓冲区的第一模式与数据存储于所述主区的第二模式之间变化。第一模式的写速度可大于第二模式的写速度。当连续计数超过参考计数时，所述模式管理器可将写模式变为第一模式，并且在空闲状态时，所述模式管理器可将写模式变为第二模式。当所述模式管理器将写模式变为第一模式之后且不处于空闲状态时，无论所述连续接收到的写数据的块之中的所有剩余块的数据大小如何，所述存储器控制器都会保持第一模式。

所述存储器控制器可配置为执行将存储在缓冲区的数据转移至主区的迁移操作。迁移操作可在空闲时间中执行。

所述非易失性存储器可以是具有三维存储器阵列的闪速存储器。

本发明构思的实施例的另一方面在于提供一种存储装置，该存储装置包括：闪速存储器，其包括缓冲区和主区；以及存储器控制器，其响应于写请求，根据各块的数据大小是否持续大于或等于参考大小，将连续接收到的各块中的每一个选择性地存储在所述缓冲区或所述主区中。