[发明专利]低温低压制备氮化硼涂层的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种功能涂层材料的制备方法，特别是涉及一种界面相控制材料的制备方法，应用于化学气相沉积法制备界面涂层材料制备技术领域。

背景技术

氮化硼具有轻质、耐高温、抗氧化、抗热震、耐腐蚀、优良的摩擦磨损性能和优异的介电性能等诸多优点，是新一代高性能航空刹车材料的理想候选材料，代表了耐高温透波材料的发展方向，是目前陶瓷基复合材料中可选择的理想的界面相控制材料，因此，在航空航天、冶金、核能、机械、电子等诸多领域具有广泛的应用前景。

界面是陶瓷基体与纤维的“纽带”，是复合材料的“心脏”，具有连接纤维与基体以及把基体的应力传递到纤维上的作用，其结构直接影响着复合材料的性能。氮化硼作为涂层界面材料使用时，通过纤维涂覆方法可以对纤维进行氧化保护、反应阻挡、力学传载等。其中，最基本和关键的要求是能偏转裂纹，提高材料的韧性。

BN界面的制备方法有很多种，主要包括液相法(也称为浸渍-涂覆法)、化学气相沉积法和碳热还原法。其中较为常见的主要有CVD法和浸渍-涂覆法。CVD法对设备的要求高，影响界面性能的工艺参数较多，但所得的涂层的质量往往较高，是制备高质量界面材料的首选。文献中指出，CVD/CVI(化学气相渗透)制备氮化硼涂层界面的温度应在1400~1800℃，但大量实验证明，在该温度范围内，采用CVD/CVI法制备的氮化硼界面涂层，由于制备温度过高，体系反应速率较大，一方面导致氮化硼界面涂层沉积速率过快而造成涂层厚度不易控制，另一方面，会导致氮化硼界面涂层渗透能力下降，不利于纤维编织件内部生成厚度均匀的界面涂层。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种低温低压制备氮化硼涂层的方法，在低温条件下采用化学气相沉积法，以获得厚度均匀、沉积速率可控且结晶度较高的氮化硼涂层。

为达到上述发明创造目的，本发明采用下述技术方案：

一种低温低压制备氮化硼涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a．对沉积基底进行清洗，去除沉积基底表面的尘埃及其他污染物，干燥后放入等温氮化硼化学气相沉积炉的炉膛内；优选所述沉积基底为碳化硅、硅片、石墨、碳纤维、陶瓷纤维及其编织件中的任意一种；

b．排除等温氮化硼化学气相沉积炉中的空气，按设定程序升温，待炉温达到设定沉积温度300~800℃后，保温，再按照设定气体流量比向等温氮化硼化学气相沉积炉中通入稀释气体和反应气体，所述稀释气体同时作为所述反应气体的载气，所述反应气体分别采用BCl₃和NH₃作为硼源和氮源，各气体流量比分别控制为NH₃/BCl₃=1~30，稀释气体/BCl₃=0~100，控制等温氮化硼化学气相沉积炉内的反应气体压力为1~130mbar，并控制沉积反应时间为0.5~20h；所述稀释气体优选采用高纯氮气和高纯氩气中任意一种气体或两种气体的混合气体；

c．在所述步骤b中进行的沉积反应结束后，停止向等温氮化硼化学气相沉积炉中通入反应气体，继续以稀释气体作为保护气体，以5~20℃/min的速率快速升温至1000~1800℃进行高温热处理，控制热处理时间为0.5~10h；所述稀释气体优选采用高纯氮气和高纯氩气中任意一种气体或两种气体的混合气体；

d．在所述步骤c中进行的高温热处理完成后，关闭加热系统，使沉积基底在保护性气体的保护下随炉自然降温冷却至室温，即得沉积于沉积基底表面的氮化硼涂层。所述保护性气体优选采用高纯氮气和高纯氩气中任意一种气体或两种气体的混合气体。

作为本发明优选的技术方案，在所述步骤b中，在向等温氮化硼化学气相沉积炉中通入反应气体的同时，还通入催化气体，气体流量比控制为催化气体/BCl₃=0~100，在所述步骤b中进行的沉积反应结束后，停止向等温氮化硼化学气相沉积炉中通入催化气体。所述催化气体优选采用氢气。

作为上述方案中进一步优选的技术方案，在所述步骤b中，通过控制等温氮化硼化学气相沉积炉内的反应气体压力、沉积反应时间和各气体流量比，来控制沉积于沉积基底表面的氮化硼涂层的厚度及沉积速率；在所述步骤c中，通过控制高温热处理温度和热处理时间对氮化硼的结晶度进行调节；最终在所述步骤c中得到沉积于沉积基底表面的均匀致密的氮化硼涂层。

本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：