[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610023885.6 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN106971949B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上形成用于与封装基板连接的凸块，并且在所述凸块中的孤立凸块的周围形成包围所述孤立凸块的伪凸块阵列，相邻的所述伪凸块阵列共用该相邻侧的伪凸块。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述伪凸块阵列的形状为四边形、矩形、正方形或菱形。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括下述步骤：
在所述半导体晶圆上形成再布线层和伪再布线层，
其中，所述凸块形成于所述再布线层上，所述伪凸块形成于所述伪再布线层上。
4.如权利要求1-3之一所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括下述步骤：
提供封装基板，在所述封装基板上形成有与所述凸块对应的焊点；
通过所述凸块和焊点完成所述半导体晶圆和封装基板的连接。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括下述步骤：
在所述封装基板上形成与所述伪凸块对应的伪焊点，
在连接所述凸块和焊点的同时，连接所述伪凸块和伪焊点。
6.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括半导体晶圆，在所述半导体晶圆上形成有用于与封装基板连接的凸块，并且在所述凸块中的孤立凸块的周围形成有包围所述孤立凸块的伪凸块阵列，相邻的所述伪凸块阵列共用该相邻侧的伪凸块。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述伪凸块阵列的形状为四边形、矩形、正方形或菱形。
8.如权利要求6或7所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体晶圆上还形成有与所述凸块对应的再布线层，以及与所述伪凸块对应的伪再布线层，
并且，所述凸块形成于所述再布线层上，所述伪凸块形成于所述伪再布线层上。
9.如权利要求6或7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：封装基板，在所述封装基板上形成有与所述凸块对应的焊点，所述凸块和焊点连接在一起以实现所述半导体晶圆和所述封装基板的连接。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，在所述封装基板上还形成有与所述伪凸块对应的伪焊点，所述伪凸块和伪焊点连接在一起以实现所述半导体晶圆和所述封装基板的连接。
11.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求6-10之一所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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