[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上形成用于与封装基板连接的凸块，并且在所述凸块中的孤立凸块的周围形成包围所述孤立凸块的伪凸块阵列。本发明的半导体器件制造方法在孤立的凸块周围形成多个伪凸块，以包围所述孤立的凸块，这样由于孤立的凸块被周围的伪凸块包围，因而孤立凸块区域的凸块密度提高，当由外部应力时，凸块密度低的区域内的孤立凸块所受应力被周围的伪凸块分担，其所受应力减小，因而不容易在封装芯片质量测试中出现诸如钝化层损伤等问题。该电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。

背景技术

在集成电路的封装互连中，半导体器件(比如，芯片)和封装基板(比如，引线框架)的连接为电源和信号的分配提供了电路连接。电子封装常见的连接方法有引线键合(WireBonding，WB)、载带自动焊(TAPE Automated Bonding TAB)与倒装芯片(Flip chip，FC)。倒装芯片凸块结构由于具有较高的半导体器件安装密度，因而成为一种常用的封装技术。如图1所示，在倒装芯片凸块结构中，芯片100上形成有凸块101，比如铜柱，通过将凸块与基板102其中一个面上的焊盘连接可实现芯片100和基板102的连接，而基板102其中另一个面上形成有焊球103，通过焊球103可以将封装后的芯片安装在印刷电路板(PCB)上，以形成各种电子产品。

当芯片封装完成后，会对其进行芯片封装质量测试，以检验芯片和封装材料的结合性能等。而对不合格品进行失效分析发现芯片钝化层(比如，聚酰亚胺层)破裂并剥落，第二钝化层损伤，以及铝层变形。

因此，为解决上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件及其制造方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件及其制造方法和电子装置，可以防止在芯片封装质量测试中由于形变应力导致的芯片损伤的问题。

本发明的一个实施例提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上形成用于与封装基板连接的凸块，并且在所述凸块中的孤立凸块的周围形成包围所述孤立凸块的伪凸块阵列。

进一步地，所述伪凸块阵列的形状为四边形、矩形、正方形或菱形。

进一步地，相邻的所述伪凸块阵列共用该相邻侧的凸块。

进一步地，所述方法还包括下述步骤：在所述半导体晶圆上形成再布线层和伪再布线层，其中，所述凸块形成于所述再布线层上，所述伪凸块形成于所述伪再布线层上。

进一步地，所述方法还包括下述步骤：提供封装基板，在所述封装基板上形成有与所述凸块对应的焊点；通过所述凸块和焊点完成所述半导体晶圆和封装基板的连接。

进一步地，所述方法还包括下述步骤：在所述封装基板上形成与所述伪凸块对应的伪焊点，在连接所述凸块和焊点的同时，连接所述伪凸块和伪焊点。

本发明的另一个实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体晶圆，在所述半导体晶圆上形成有用于与封装基板连接的凸块，并且在所述凸块中的孤立凸块的周围形成有包围所述孤立凸块的伪凸块阵列。

进一步地，所述伪凸块阵列的形状为四边形、矩形、正方形或菱形。

进一步地，相邻的所述伪凸块阵列共用该相邻侧的凸块。

进一步地，在所述半导体晶圆上还形成有与所述凸块对应的再布线层，以及与所述伪凸块对应的伪再布线层，并且，所述凸块形成于所述再布线层上，所述伪凸块形成于所述伪再布线层上。