[发明专利]低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成图案化的遮光层(11)，在所述遮光层(11)与衬底基板(10)上沉积覆盖绝缘缓冲层(12)；

步骤2、在所述绝缘缓冲层(12)上形成对应于所述遮光层(11)的图案化的低温多晶硅层(20)；

步骤3、在所述低温多晶硅层(20)与绝缘缓冲层(12)上涂布光阻材料，图案化所述光阻材料，形成光阻层(30)，暴露出至少部分低温多晶硅层(20)的两端区域；

步骤4、以所述光阻层(30)为遮蔽层，对相应低温多晶硅层(20)的两端区域进行一种类型的离子掺杂，形成低温多晶硅半导体层(20’)；

步骤5、进行第一次光阻灰化和去光阻处理；

步骤6、进行第二次光阻灰化和去光阻处理，以完全去除光阻层(30)；

步骤7、在所述低温多晶硅半导体层(20’)及绝缘缓冲层(12)上依次制作栅极绝缘层(31)、栅极(41)、层间绝缘层(32)、源/漏极(42)、平坦层(50)、底层电极(60)、保护层(70)、及顶层电极(80)；

所述绝缘缓冲层(12)、栅极绝缘层(31)、层间绝缘层(32)、平坦层(50)、及保护层(70)的材料均为氧化硅、氮化硅中的一种或两种的复合。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤7在完成制作栅极(41)后，还包括在栅极(41)与栅极绝缘层(31)上涂布并图案化光阻材料，形成另一光阻层，以所述另一光阻层为遮蔽层，对未经步骤4进行离子掺杂的剩余的低温多晶硅层(20)的两端区域进行另一种类型的离子掺杂，形成低温多晶硅半导体层(20’)，及连续两次的光阻灰化和去光阻处理的过程，之后再制作所述层间绝缘层(32)。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中图案化的低温多晶硅层(20)的具体制作过程为：先在所述绝缘缓冲层(12)上沉积一层非晶硅，再对非晶硅进行晶化处理，制得低温多晶硅，然后通过光刻制程得到图案化的低温多晶硅层(20)。

4.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中通过曝光、显影制程图案化所述光阻材料得到所述光阻层(30)。

5.如权利要求2所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，步骤4中所述的一种类型的离子掺杂为掺杂磷离子的N型离子掺杂或掺杂硼离子的P型离子掺杂；步骤7中所述另一种类型的离子掺杂为不同于步骤4的P型离子掺杂或N型离子掺杂。

6.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源/漏极(42)分别通过贯穿层间绝缘层(32)和栅极绝缘层(31)的过孔与所述低温多晶硅半导体层(20’)的两端相接触。

7.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述顶层电极(80)通过贯穿所述保护层(70)、底层电极(60)、及平坦层(50)的过孔(81)与所述漏极接触。

8.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述顶层电极(80)和底层电极(60)的材料均为ITO。