[发明专利]低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，该方法通过连续两次光阻灰化和去光阻处理将离子掺杂后残留的固化光阻完全去除干净，有效解决光阻层在第一次灰化处理之前某些区域可能覆盖有杂质颗粒而阻挡第一次灰化处理造成的固化光阻残留的问题，能够改善栅极绝缘层和层间绝缘层的界面清洁度，避免界面问题导致的产品良率下降。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。

薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。

不论是LCD还是AMOLED均包括一TFT阵列基板。

现有的低温多晶硅TFT阵列基板的制作过程通常为：在衬底基板上从下至上依次制作遮光层、绝缘缓冲层、低温多晶硅半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源/漏极、平坦层、底层电极、保护层、和顶层电极。其中，低温多晶硅半导体层又包括位于中间的对应于栅极的沟道区、和位于两端的对应于源/漏极的离子掺杂区。

制作离子掺杂区的具体过程为：首先在低温多晶硅层上涂布光阻，对光阻进行曝光、显影、烘烤后得到图案化的光阻层，以暴露出低温多晶硅层的两端区域；然后以光阻层为遮蔽层，对低温多晶硅层的两端区域进行离子掺杂；接下来先后进行光阻灰化和去光阻。在这一过程中，光阻层的某些区域可能覆盖有杂质颗粒，阻挡了光阻灰化，导致无法完全去除光阻层，引起固化光阻残留，进而影响到后续制作的栅极绝缘层、层间绝缘层的界面质量，造成栅极绝缘层、层间绝缘层产生剥落和裂纹等问题，最终导致产品质量下降。

目前现有的改善栅极绝缘层、层间绝缘层界面的措施有：在成膜前更改清洗条件或进行等离子处理，但这些措施作用有限且都忽视了因离子掺杂所用到的光阻层在灰化处理之前某些区域可能覆盖有杂质颗粒而造成的固化光阻残留的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，能够完全去除离子掺杂后残留的固化光阻，改善栅极绝缘层和层间绝缘层的界面清洁度，避免界面问题导致的产品良率下降。

为实现上述目的，本发明提供了一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成图案化的遮光层，在所述遮光层与衬底基板上沉积覆盖绝缘缓冲层；

步骤2、在所述绝缘缓冲层上形成对应于所述遮光层的图案化的低温多晶硅层；

步骤3、在所述低温多晶硅层与缓冲层上涂布光阻材料，图案化所述光阻材料，形成光阻层，暴露出至少部分低温多晶硅层的两端区域；

步骤4、以所述光阻层为遮蔽层，对相应低温多晶硅层的两端区域进行一种类型的离子掺杂，形成低温多晶硅半导体层；

步骤5、进行第一次光阻灰化和去光阻处理；

步骤6、进行第二次光阻灰化和去光阻处理，以完全去除光阻层；