[发明专利]一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器有效
申请号: | 201610024321.4 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105679367B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 于跃;孙杰杰;胡小琴;徐睿 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/34 |
代理公司: | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214035 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 mtm 反熔丝 prom 编程 | ||
1.一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器,其特征在于:包括MTM反熔丝PROM(1)、逻辑电平转换(2)、数模转换器DAC(3)、可编程逻辑门阵列(4)、电源管理单元(5)、串行通讯接口(6)和大容量静态随机存储器SRAM(7),可编程逻辑门阵列(4)通过控制数模转换器DAC(3)产生0V~15V之间可变的编程电压和编程时序;可编程逻辑门阵列(4)通过电源管理单元(5)控制待编程PROM电路的电源电压,通过拉偏MTM反熔丝PROM(1)的电源电压的方式读取校验数据;可编程逻辑门阵列(4)对要烧写的反熔丝位数进行分步编程;串行通讯接口(6)在PROM电路编程时,实时反馈编程信息;串行通讯接口(6)采用了下载数据保存在大容量静态随机存储器SRAM(7)中并校验的方式保证下载编程文件无误;可编程逻辑门阵列(4)通过逻辑电平转换(2)对MTM反熔丝PROM(1)进行测试。
2.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程器,其特征在于:所述数模转换器DAC(3)的后级设置有高电压、高驱动电流运放OPA(8),以提供烧写反熔丝时必要的电流。
3.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程器,其特征在于:所述MTM反熔丝PROM(1)的电源电压与其读出数据的冗宽有关。
4.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程器,其特征在于:所述可编程逻辑门阵列(4)预先对待编程的数据进行处理,计算待编程数据要烧写的反熔丝个数,再根据待编程数据反熔丝位个数,采用一次编程或两次编程所有的反熔丝位;其中,反熔丝个数即为反熔丝的数量;反熔丝位是在一个特定的地址上可以读到反熔丝状态的一个位。
5.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程器,其特征在于:所述串行通讯接口(6)接收来自上位机PC传输的编程文件,并将编程文件保存在板载大容量静态随机存储器SRAM(7)中,传输完毕后通过串行通讯接口(6)将大容量静态随机存储器SRAM(7)中保存的编程文件回传给上位机PC并与待编程文件进行比较。
6.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程器,其特征在于:所述串行通讯接口(6)在PROM电路编程时,实时向上位机PC反馈编程信息,上位机PC将反馈编程信息保存为编程日志文件。
7.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程器,其特征在于:所述可编程逻辑门阵列(4)通过逻辑电平转换(2)对MTM反熔丝PROM(1)进行测试,在不影响正常反熔丝阵列条件下,对MTM反熔丝PROM(1)的冗余行、冗余列进行数据读出和预编程。
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