[发明专利]一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器

说明书

本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器，包括对PROM电路基本的空检、读出、编程及校验功能，还增加了对MTM反熔丝PROM的冗余反熔丝单元的测试功能。此编程器正常模式下的功能可以满足使用者对PROM电路的基本操作，而测试模式下的功能可以在不影响PROM正常反熔丝阵列条件下，提前对PROM进行预编程筛选，剔除有缺陷的电路，提高MTM反熔丝PROM的编程成功率及编程后数据可靠性。

技术领域

本发明涉及反熔丝编程器技术领域，尤其是一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器。

背景技术

反熔丝一次可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory，PROM)是一种高可靠非易失性存储器，常被用作航天电子系统中程序代码以及其他关键信息的存储。由于其特殊的应用领域，国外此类电路往往对国内处于禁运状态，而且此类MTM反熔丝PROM的编程方法也被国外厂家垄断且保密。

由于MTM反熔丝PROM的重要作用，国内也逐渐开展了MTM反熔丝PROM电路的研究和设计。由于国内研制的MTM反熔丝PROM电路在工艺和设计上与国外相似产品存在较大差异，国外反熔丝编程器不能很好的满足自主设计的反熔丝PROM电路，所以亟需自主设计一款能满足要求、且能灵活优化编程条件的MTM反熔丝PROM编程器。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器，对MTM反熔丝PROM能有效进行编程及测试，提高MTM反熔丝PROM编程成功率、缩短编程时间以及通过预编程方法早期剔除编程有缺陷的电路，极大改善了编程效率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

本发明一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器，包括MTM反熔丝PROM、逻辑电平转换、数模转换器DAC、可编程逻辑门阵列、电源管理单元、串行通讯接口和大容量静态随机存储器SRAM，可编程逻辑门阵列通过控制数模转换器DAC产生0V～15V之间可变的编程电压和编程时序；可编程逻辑门阵列通过电源管理单元控制待编程PROM电路的电源电压，通过拉偏MTM反熔丝PROM的电源电压的方式读取校验数据；可编程逻辑门阵列对要烧写的反熔丝位数进行分步编程；串行通讯接口在PROM电路编程时，实时反馈编程信息；串行通讯接口采用了下载数据保存在大容量静态随机存储器SRAM中并校验的方式保证下载编程文件无误；可编程逻辑门阵列通过逻辑电平转换对MTM反熔丝PROM进行测试。

进一步地，数模转换器DAC的后级设置有高电压、高驱动电流运放OPA，以提供烧写反熔丝时必要的电流。

进一步地，MTM反熔丝PROM的电源电压与其读出数据的冗宽有关。

进一步地，可编程逻辑门阵列预先对待编程的数据进行处理，计算待编程数据要烧写的反熔丝个数，再根据待编程数据反熔丝位个数，采用一次编程或两次编程所有的反熔丝位。

进一步地，行通讯接口接收来自上位机PC传输的编程文件，并将编程文件保存在大容量静态随机存储器SRAM中，传输完毕后通过串行通讯接口将大容量静态随机存储器SRAM中保存的编程文件回传给上位机PC并与待编程文件进行比较。

进一步地，串行通讯接口在PROM电路编程时，实时向上位机PC反馈编程信息，上位机PC将反馈编程信息保存为编程日志文件。

进一步地，可编程逻辑门阵列通过逻辑电平转换对MTM反熔丝PROM进行测试，在不影响正常反熔丝阵列条件下，对MTM反熔丝PROM的冗余行、冗余列进行数据读出和预编程。

本发明的有益效果：

1、灵活可变的编程电压和时序，满足多种MTM反熔丝PROM的编程需求。

2、拉偏PROM电源电压，读取数据校验方式能极大验证反熔丝编程效果。