[发明专利]一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法有效

专利信息
申请号: 201610024409.6 申请日: 2016-01-14
公开(公告)号: CN105489334B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 郭志猛;杨芳;隋延力;石韬;杨薇薇;陈存广;罗骥;郝俊杰 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F1/08;B22F3/16
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 扩散 获得 磁性 烧结 钕铁硼 方法
【权利要求书】:

1.一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将烧结钕铁硼粉在1.2‐2.0T的磁场下进行取向压型;

(2)将步骤(1)中压型完成的磁块进行150‐220Mpa冷等静压,保压20s,使其压型成为生坯;

(3)将步骤(2)中生坯放入真空烧结炉中进行真空半致密烧结,致密度为90%‐95%,烧结温度为900‐950℃,保温时间为1‐3h;

(4)将扩散合金源覆盖在步骤(3)中半致密烧结钕铁硼的周围,在真空烧结炉中进行真空烧结、回火,制得最终磁体;

其中,步骤(4)中所述扩散合金源为低熔点镝合金:Dy‐Cu、Dy‐Al、Dy‐Ni或Dy‐Ni‐Al,Dy原子百分数含量为65‐80%。

2.根据权利要求1所述的一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法,其特征在于:步骤(1)中所述烧结钕铁硼粉的粒度为1‐5μm。

3.根据权利要求1所述的一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法,其特征在于:步骤(4)中所述扩散合金源为普通铸锭粗破后的1-3mm颗粒。

4.根据权利要求1所述的一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法,其特征在于:步骤(4)中所述烧结和回火条件为:1040-1080℃真空下烧结2-3h,再经过900‐940℃一级回火1‐3h和480‐550℃二级回火2‐4h,缓冷。

5.根据权利要求1所述的一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法,其特征在于:步骤(4)中所述半致密烧结钕铁硼致密化烧结过程中,扩散合金源会融化为液态包覆在半致密化钕铁硼表面,加速合金元素在晶界的扩散,提高扩散层的深度,适于处理较厚的样品。

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