[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其通过针对具有由氧化硅构成的第1区域和由氮化硅构成的第2区域的被处理体进行的等离子体处理来相对于所述第2区域而选择性地对所述第1区域进行蚀刻，其中，

该蚀刻方法包括以下工序：

第1工序，在该第1工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而在所述被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；

第2工序，在该第2工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而使得在所述被处理体上形成的所述堆积物的量增加；以及

第3工序，在该第3工序中，利用通过所述第1工序和所述第2工序而形成在所述被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对所述第1区域进行蚀刻，

所述第1工序中的、为了生成所述等离子体而利用的高频电力的功率小于所述第2工序中的、为了生成所述等离子体而利用的高频电力的功率，

重复执行依次包含所述第1工序、所述第2工序、以及所述第3工序的序列，

在所述第2区域中划分出凹部，

所述第1区域以将所述凹部填埋且覆盖所述第2区域的方式设置，

所述被处理体具有设置在所述第1区域上的掩模，该掩模在所述凹部之上提供具有宽度比该凹部的宽度大的开口，

该蚀刻方法还包括对所述第1区域进行蚀刻而直至使所述第2区域即将暴露为止的工序，

所述序列是在对所述第1区域进行蚀刻而直至使所述第2区域即将暴露为止的所述工序之后执行的，并且所述序列是在包括使所述第2区域暴露时在内的期间内执行的。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

所述序列还包含第4工序，在该第4工序中，在容纳有所述被处理体的所述处理容器内生成含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体。

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

在所述第3工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成非活性气体的等离子体，并利用通过所述第1工序和所述第2工序而形成在所述被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对所述第1区域进行蚀刻。

4.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，

在所述第2工序和所述第3工序之间执行所述第4工序，在该第4工序中，在容纳有所述被处理体的所述处理容器内生成含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体，从而使得在所述被处理体上形成的所述堆积物的量减少。

5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

该蚀刻方法还包括对所述第1区域进行蚀刻而直至使所述第2区域即将暴露为止的蚀刻工序，其中将该蚀刻工序中利用的高频偏置电力设定为大于在所述第1工序和所述第2工序中利用的高频偏置电力。

6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

该蚀刻方法还包括对所述第1区域进行蚀刻而直至使所述第2区域即将暴露为止的蚀刻工序，其中该蚀刻工序中利用的碳氟化合物气体的氟原子数与碳原子数之比高于在所述第1工序和所述第2工序中利用的碳氟化合物气体的氟原子数与碳原子数之比。