[发明专利]蚀刻方法

说明书

本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；(b)第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；以及(c)第3工序，在该第3工序中，利用通过第1工序和第2工序而形成在被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率小于第2工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻方法，尤其是涉及一种通过针对被处理体进行的等离子体处理来相对于由氮化硅构成的第2区域而选择性地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的方法。

背景技术

在电子器件的制造过程中，有时对由氧化硅(SiO₂)构成的区域进行用以形成孔或沟槽这样的开口的处理。在这样的处理中，如美国专利第7708859号说明书所记载地那样，通常的做法是，通过将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中来对该区域进行蚀刻。

另外，公知有一种相对于由氮化硅构成的第2区域而选择性地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的技术。作为这样的技术的一个例子，公知有一种SAC(Self－AlignedContact：自对位接触)技术。在日本特开2000－307001号公报中记载有SAC技术。

作为SAC技术的处理对象的被处理体具有氧化硅制的第1区域、氮化硅制的第2区域、以及掩模。第2区域以划分出凹部的方式设置，第1区域以将该凹部填埋且覆盖第2区域的方式设置，掩模设置在第1区域上且在凹部之上提供开口。在以往的SAC技术中，如日本特开2000－307001号公报所记载地那样，为了对第1区域进行蚀刻而使用含有碳氟化合物气体、氧气、以及稀有气体的处理气体的等离子体。通过将被处理体暴露在该处理气体的等离子体中，从而对第1区域的自掩模的开口暴露出的部分进行蚀刻而形成上部开口。通过将被处理体进一步暴露在处理气体的等离子体中，从而对被第2区域包围的部分、即凹部内的第1区域自对位(日文：自己整合)地进行蚀刻。由此，自对位地形成与上部开口相连续的下部开口。

专利文献1：美国专利第7708859号说明书

专利文献2：日本特开2000－307001号公报

发明内容

发明要解决的问题

在所述以往的技术中，在对第1区域进行蚀刻而使第2区域暴露的时刻，产生没有在第2区域的表面上形成保护该第2区域的膜的状态。当在该状态下进一步对第1区域进行蚀刻时，会产生将第2区域削去这样的现象。

因而，要求在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻。

用于解决问题的方案

在本发明的一技术方案中，提供一种通过针对被处理体进行的等离子体处理来相对于由氮化硅构成的第2区域而选择性地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；(b)第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；以及(c)第3工序，在该第3工序中，利用通过第1工序和第2工序而形成在被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率小于第2工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率。