[发明专利]高密度集成电路封装结构以及集成电路

权利要求书

1.高密度集成电路封装结构，包括：金属引线框，所述金属引线框包括引线框基岛、内引脚线和外引脚线；固定在引线框基岛上的芯片；以及芯片和内引脚线之间的微米级连接线；和密封所述金属引线框、芯片以及微米级连接线的长方体塑封结构，其特征在于：所述塑封结构的长度A1满足关系：1.20mm+(B-8)×0.3mm/2≤A1≤4.50mm+(B-8)×1.00mm/2；塑封结构的宽度A2满足关系：1.20mm≤A2≤3.50mm；塑封结构的厚度A3满足关系：0.35mm≤A3≤0.85mm；B为外引脚线的个数，且为满足4≤B≤68的整数；所述微米级连接线为直径为10～25微米的合金线，所述微米级连接线与芯片之间通过软钎焊电性连接；所述微米级连接线与内引脚线之间通过软钎焊电性连接；软钎焊材料使用无铅钎料，并且所述无铅钎料含有3.2～3.6wt％的In、1.3～1.5wt％的Ag、0.5～0.6wt％的Bi、0.25～0.30wt％的Cu、0.10～0.15wt％的Ge，和余量的Sn；所述塑封结构采用环氧树脂组合物封装而成，所述环氧树脂组合物由双酚F型环氧树脂、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚乙醇二缩水甘油醚、聚丙二醇聚四氢呋喃端羟基聚酯、聚丁烯基琥珀酰亚胺、白炭黑、硅烷偶联剂和脱模剂组成，所述塑封结构的底部开设有应力释放槽，所述应力释放槽为螺旋形槽体，在所述螺旋形槽体内填充有聚丁烯基琥珀酰亚胺和氨基聚酰胺树脂的组合物，并在40-50℃固化处理3.0-5.0min，其中：聚丁烯基琥珀酰亚胺和氨基聚酰胺树脂的质量比为3:1。

2.根据权利要求1所述的高密度集成电路封装结构，其特征在于：所述外引脚线的跨度B1满足2.30mm≤B1≤5.20mm；外引脚线的间距B2满足0.30mm≤B2≤1.00mm。

3.根据权利要求1所述的高密度集成电路封装结构，其特征在于：所述塑封结构的长度A1满足以下关系：A1＝2.50+(B-8)×0.53/2mm；塑封结构的宽度A2为2.60mm；塑封结构的厚度A3为0.85mm；外引脚线的跨度B1为4.00mm；外引脚线的宽度为0.20mm～0.23mm、引脚线中心间距B2为0.53mm。

4.根据权利要求1所述的高密度集成电路封装结构，其特征在于：该应力释放槽的深度和宽度均为0.05mm。

5.根据权利要求1所述的高密度集成电路封装结构，其特征在于：所述引线框基岛到内引脚顶端的距离为0.150mm；基岛下沉距离为0.152mm；内引脚线长度为0.400mm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的高密度集成电路封装结构的封装方法，其特征在于：包括以下步骤：提供一金属引线框，所述金属引线框包括引线框基岛、内引脚线和外引脚线；提供一芯片，并将所述芯片粘结于所述引线框基岛上；所述芯片和内引脚线之间通过微米级连接线电性连接；通过注塑方法形成用于密封所述金属引线框和所述芯片的长方体塑封结构。