[发明专利]触摸面板以及其制造方法在审
申请号: | 201610033720.7 | 申请日: | 2016-01-19 |
公开(公告)号: | CN105629545A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 郝思坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G06F3/041;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触摸 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种触摸面板,其包括:
基板;
第一金属层,位于所述基板上,用来形成薄膜晶体管的栅极;
栅级绝缘层,位于所述第一金属层上;
其特征在于,所述阵列基板另包含:
第二金属层,位于所述栅级绝缘层上,用来形成触控控制线、所述薄膜 晶体管的源极和漏极,所述触控控制线用于传送触控信号以及公共电压;
隔离层,位于所述第二金属层上,并设置贯穿所述隔离层的第一通孔和 第二通孔,所述第一通孔对准所述源极或漏极,所述第二通孔对准所述触控 控制线;
像素电极层,通过所述第一通孔与所述源极或漏极连接;
触控电极层,通过所述第二通孔与所述触控控制线连接,
其中,所述触控电极层同时作为公共电极层。
2.根据权利要求1所述的触摸面板,其特征在于,所述像素电极层和所 述触控电极层是由一导电层同时所形成。
3.根据权利要求2所述的触摸面板,其特征在于,所述导电层是氧化铟 锡或是金属构成。
4.根据权利要求1所述的触摸面板,其特征在于,所述第二金属层还包 括数据线,所述数据线用来通过所述薄膜晶体管传递数据电压至所述像素电 极层。
5.根据权利要求4所述的触摸面板,其特征在于,当所述触控控制线传 送所述公共电压至所述触控电极层时,所述数据线用来通过所述薄膜晶体管 传递数据电压至所述像素电极层。
6.根据权利要求4所述的触摸面板,其特征在于,当所述触控控制线传 送所述触控信号至所述触控电极层时,所述数据线停止通过所述薄膜晶体管 传递数据电压至所述像素电极层。
7.一种制造触摸面板的方法,其包括:
形成第一金属层于基板上;
蚀刻所述第一金属层以形成薄膜晶体管的栅极;
形成栅级绝缘层于所述薄膜晶体管的栅极上;
形成第二金属层于所述栅级绝缘层上;
蚀刻所述第二金属层以形成触控控制线、所述薄膜晶体管的源极和漏极;
形成隔离层于所述触控控制线、所述薄膜晶体管的源极和漏极之上;
蚀刻所述隔离层以形成贯穿所述隔离层的第一通孔和第二通孔,所述第 一通孔对准所述源极或漏极,所述第二通孔对准所述触控控制线;
沉积导电层于所述隔离层、所述触控控制线、所述源极或漏极上;以及
蚀刻所述导电层以形成像素电极层和触控电极层,所述像素电极层通过 所述第一通孔与所述源极或漏极连接,所述触控电极层通过所述第二通孔与 所述触控控制线连接,其中,所述触控电极层同时作为所述阵列基板的公共 电极层。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述导电层是氧化铟锡或 是金属构成。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,蚀刻所述第二金属层以形 成触控控制线、所述薄膜晶体管的源极和漏极的步骤包含:蚀刻所述第二金 属层以形成数据线,所述数据线用来通过所述薄膜晶体管传递数据电压至所 述像素电极层。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在形成所述第二金属层 于所述栅级绝缘层上的步骤之前,所述方法另包含:
形成非晶硅层于所述栅级绝缘层上;及
蚀刻所述非晶硅层以形成所述薄膜晶体管的半导体层。
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