[发明专利]模拟译码电路设计方法及系统有效
申请号: | 201610035297.4 | 申请日: | 2016-01-19 |
公开(公告)号: | CN105512439B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 赵哲;王帅;尹雪;郑浩;丁旭辉;高原;卜祥元;安建平;曾博文 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100081 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模拟译码 电路设计 失配 仿真结果 模块电路 输入参数 延迟参数 预设要求 因子图 电路 设计输入参数 电路模型 动态行为 计算过程 模型建立 系统级别 相应公式 校验矩阵 性能仿真 影响因素 预设电路 预设 优化 | ||
1.一种模拟译码电路设计方法,其特征在于,包括:
S1.根据预设校验矩阵建立译码因子图模型;将所述译码因子图模型中的节点转换为对应和积模块电路,将所述译码因子图模型中的变量节点转换为等式约束模块,将所述译码因子图模型中的校验节点转换为奇偶校验模块;根据所述译码因子图模型的拓扑完成所述和积模块电路之间的连线;
S2.根据预设电路设计要求以及下述公式设计所述和积模块电路的输入参数:
其中,W/L为吉尔伯特乘法电路晶体管栅极宽长比,IU为单元电流,IS为工艺相关电流;其中,所述和积模块电路的输入参数包括W/L和IU;
S3.获取所述和积模块电路的相关失配参数和相关延迟参数;
S4.根据步骤S3得到的相关失配参数和相关延迟参数,进行考虑失配效应和电路动态行为影响因素的模拟译码电路模型的计算过程,得到模拟译码电路BER性能仿真结果;
S5.判断步骤S4得到的BER性能仿真结果是否满足预设要求,若是,则结束流程;否则修改所述步骤S2中的输入参数继续进行仿真直至仿真结果满足预设要求。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设电路设计要求包括:芯片面积受限情况或功耗受限情况;
相应地,当所述预设电路设计要求为芯片面积受限情况时,根据所述芯片面积受限情况确定符合要求的一种W/L,再根据下述公式设计所述单元电流IU:
当所述预设电路设计要求为功耗受限情况时,根据所述功耗受限情况确定符合要求的一种单元电流IU,再根据下述公式设计所述W/L:
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S3中获取所述和积模块电路的相关失配参数包括:
获取吉尔伯特乘法电路输出电流I′i,j为:
其中Ix,i和Iy,j为电路输入电流,εj和εi,j为吉尔伯特乘法电路失配参数;上式中电流误差项εj和εi,j均为零均值正态分布的随机变量;
获取归一化电路输出电流Iz,k为:
其中I′z,k为加法电路输出电流,εU、εk和ε1,k为归一化电路失配参数;上式中电流误差项εU、εk和ε1,k均为零均值正态分布的随机变量。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述步骤S3中获取所述和积模块电路的相关延迟参数包括:
利用预设延迟模块对输出电流Iz,k进行延迟处理,得到输出电流I`z为:
Iz(t0+Δt)=(1-exp(-Δt/τ))Iz(t0)+exp(-Δt/τ)Iz(t0);
其中t0为初始时间,Δt为采样周期,τ为和积模块电路的延迟参数;
进一步简化为如下离散时间的微分方程:
式中n是离散时间索引,α=1-exp(-Δt/τ)。
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