[发明专利]TFT阵列基板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(100)、设于所述 衬底基板(100)上的缓冲层(110)、设于所述缓冲层(110)上的数个呈阵列 式排布的TFT(900)、设于所述TFT(900)上的平坦层(500)、设于所述平坦 层(500)上的公共电极(600)、设于所述公共电极(600)上的保护层(700)、 及设于所述保护层(700)上的图案化的像素电极(800)；

所述TFT(900)包括：设于所述缓冲层(110)上的多晶硅半导体层(200)、 覆盖所述半多晶硅导体层(200)的栅极绝缘层(310)、于所述多晶硅半导体 层(200)上方设于所述栅极绝缘层(310)上的栅极(410)、覆盖所述栅极(410) 与栅极绝缘层(310)的层间绝缘层(320)、及设于所述层间绝缘层(320)上 的源极与漏极(420)；

所述像素电极(800)与所述漏极(420)电性连接；

所述漏极(420)与部分公共电极(600)的水平投影重叠；

所述漏极(420)与所述公共电极(600)构成第一存储电容(Cst1)，所 述像素电极(800)与公共电极(600)构成第二存储电容(Cst2)，所述第一 存储电容(Cst1)与第二存储电容(Cst2)并联构成存储电容(Cst)。

2.如权利要求1所述的TTF阵列基板，其特征在于，位于所述漏极(420) 与部分公共电极(600)的水平投影重叠的区域内的平坦层(500)的厚度小于 位于所述漏极(420)与部分公共电极(600)的水平投影重叠的区域外的平坦 层(500)的厚度。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，位于所述漏极(420) 与部分公共电极(600)的水平投影重叠的区域内的平坦层(500)的厚度为0.5 μm～1μm，位于所述漏极(420)与部分公共电极(600)的水平投影重叠的 区域外的平坦层(500)的厚度为1.5μm～3μm。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极(800) 通过贯穿所述保护层(700)、公共电极(600)、及平坦层(500)的过孔(810) 与所述漏极(420)相接触形成电性连接。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括：多条沿第一 方向平行间隔设置的栅极扫描线(450)、及多条沿与第一方向垂直的第二方向 平行间隔设置的数据线(440)；

所述数据线(440)、和源极、及所述漏极(420)位于同一层，且数据线 (440)与源极电性连接；所述栅极扫描线(450)与栅极(410)位于同一层 且电性连接。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述源极和漏极(420) 分别通过贯穿层间绝缘层(320)和栅极绝缘层(310)的过孔与多晶硅半导体 层(200)的两端相接触形成电性连接。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极(80) 与公共电极(60)的材料均为ITO。

8.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述缓冲层(110)、 栅极绝缘层(310)、层间绝缘层(320)、平坦层(500)、及保护层(700)的 材料均为氮化硅、氧化硅中的一种或两种的复合。

9.如权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极扫描线(450)、 数据线(440)、栅极(410)、源极、及漏极(420)的材料均为钼、钛、铜、 铝中的一种或多种的堆栈组合。