[发明专利]TFT阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板。

背景技术

液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有机身薄、省电、无辐射 等众多优点，得到了广泛的应用，如：液晶电视、移动电话、个人数字助理 (PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占 主导地位。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示 面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体 管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)与彩 色滤光片基板(ColorFilter，CF)之间灌入液晶分子，并在两片基板上施加 驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画 面。

TFT阵列基板包括多条栅极线和数据线，相互垂直的多条栅极线和多条 数据线形成了多个像素单元，且每个像素单元内均设置有TFT、像素电极及 存储电容等。TFT包括一栅极连接至栅极线，源极连接至数据线，漏极连接 至像素电极。当栅极线被驱动时，TFT处于导通状态，对应的数据线送入灰 阶电压信号并将其加载至像素电极，从而使得像素电极与公共电极之间产生 相应的电场，液晶层中的液晶分子则在电场的作用下发生取向变化，以实现 不同的图像显示。

存储电容在TFT阵列基板中起到保持电位等重要作用，现有的TFT阵列基 板通常通过公共电极与像素电极的重叠部分来构成存储电容。请参阅图1至图 3，现有的TFT阵列基板通常包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的缓 冲层20、设于所述缓冲层20上的数个呈阵列式排布的TFT90、覆盖所述TFT90 的平坦层50、设于所述平坦层50上的公共电极60、覆盖所述公共电极60的保 护层70、及设于所述保护层70上的图案化的像素电极80。所述像素电极80与 部分公共电极60重叠构成存储电容Cst。所述像素电极80接触TFT90的漏极 901，TFT90的漏极901又接触TFT90的多晶硅半导体层902。针对该现有的TFT 阵列基板，TFT90的漏极901的面积很小，仅用于电性连接像素电极80、及多 晶硅半导体层902，所述漏极901与公共电极60无重叠。

随着显示技术的不断发展，高品质显示面板的解析度和分辨率越来越高， 显示面板的开口率随之变小，同时存储电容也在逐渐变小，每个像素的充电 时间逐渐减少，存储电容的电量将不能维持像素的正常工作电压，引起诸如 交叉串扰(Crosstalk)，影像残留(ImageSticking)等缺陷。因此，如何提升 高品质显示面板的存储电容的容量成为了亟待解决的问题。如图1和图2所示 的现有的TFT阵列基板受限于工艺能力、光学品味及穿透率的需求，图案化 的像素电极80的面积很难做出改变，也就不能通过增大像素电极80的面积这 种方式来增大存储电容的容量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，能够在不降低开口率的前提 下，增加存储电容的容量，改善交叉串扰、影像残留等问题，提升产品的显示 质量。

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板，包括：衬底基板、设 于所述衬底基板上的缓冲层、设于所述缓冲层上的数个呈阵列式排布的TFT、 设于所述TFT上的平坦层、设于所述平坦层上的公共电极、设于所述公共电极 上的保护层、及设于所述保护层上的图案化的像素电极；

所述TFT包括：设于所述缓冲层上的多晶硅半导体层、覆盖所述多晶硅半 导体层的栅极绝缘层、于所述多晶硅半导体层上方设于所述栅极绝缘层上的栅 极、覆盖所述栅极与栅极绝缘层的层间绝缘层、及设于所述层间绝缘层上的源 极与漏极；

所述像素电极与所述漏极电性连接；

所述漏极与部分公共电极的水平投影重叠；

所述漏极与所述公共电极构成第一存储电容，所述像素电极与公共电极构 成第二存储电容，所述第一存储电容与第二存储电容并联构成存储电容。

位于所述漏极与部分公共电极的水平投影重叠的区域内的平坦层的厚度 小于位于所述漏极与部分公共电极的水平投影重叠的区域外的平坦层的厚度。