[发明专利]一种全无机量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610036399.8 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105552184A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 曹蔚然;钱磊;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无机 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种全无机量子点发光二极管，其特征在于，依次包括：衬底、底电极、空穴功能层、核壳结构量子点发光层、第一电子传输层以及顶电极，其中空穴功能层以及第一电子传输层均由无机半导体材料组成，所述空穴功能层包括空穴注入层和第一空穴传输层；
在空穴功能层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二空穴传输层；和/或在第一电子传输层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二电子传输层，所述第二空穴传输层及第二电子传输层的材料与核壳结构量子点发光层的壳层材料一致。
2.根据权利要求1所述的全无机量子点发光二极管，其特征在于，所述无机半导体材料NiOx或ZnO。
3.根据权利要求1所述的全无机量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层和第一空穴传输层采用真空蒸镀、溅射、旋涂或打印方式制成；所述第一电子传输层采用真空蒸镀、溅射、旋涂或打印方式制成。
4.根据权利要求1所述的全无机量子点发光二极管，其特征在于，所述第二空穴传输层及第二电子传输层使用纳米粒子、溶胶凝胶以及化学浴沉积方式制成。
5.根据权利要求1所述的全无机量子点发光二极管，其特征在于，所述核壳结构量子点发光层为CdSe/ZnSe、CdS/ZnS或CdS/ZnSe。
6.根据权利要求5所述的全无机量子点发光二极管，其特征在于，所述第二空穴传输层及第二电子传输层的材料为ZnS或ZnSe。
7.一种全无机量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，其包括步骤：
A、准备一衬底；
B、在所述衬底上制作底电极；
C、在所述底电极上沉积空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和第一空穴传输层；
D、在所述第一空穴传输层上沉积核壳结构量子点发光层；
E、在所述核壳结构量子点发光层上沉积第一电子传输层；
F、在所述第一电子传输层上沉积顶电极；
其中，在空穴功能层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二空穴传输层；和/或在第一电子传输层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二电子传输层，所述第二空穴传输层及第二电子传输层的材料与核壳结构量子点发光层的壳层材料一致。
8.根据权利要求7所述的全无机量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤C中，采用真空蒸镀、溅射、旋涂或打印方式沉积空穴功能层。
9.根据权利要求7所述的全无机量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤E中，采用真空蒸镀、溅射、旋涂或打印方式沉积第一电子传输层。
10.根据权利要求7所述的全无机量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第二空穴传输层及第二电子传输层使用纳米粒子、溶胶凝胶以及化学浴沉积方式制成。
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