[发明专利]一种全无机量子点发光二极管及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及量子点发光材料领域，尤其涉及一种全无机量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

基于半导体量子点（QDs）发光的量子点发光二极管器件（QLEDs）具有发光效率高、色纯度高以及发光颜色简单可调等优点。近年来，对量子点材料及QLED器件的开发受到了越来越多的关注。与有机发光二极管器件相比较，QLED器件中的发光层由无机纳米粒子组成，其稳定性远高于有机发光材料。目前普遍流行的高效量子点发光二极管器件中，仍然使用有机注入和传输材料，量子点器件的稳定性也将受这些有机材料的影响。因此，发展全无机发光二极管器件（注入和传输层以及发光层均由无机材料组成）成为提高器件寿命的一个重要手段。然而目前开发和报道的无机空穴和电子传输材料的能级和迁移率等特性与量子点发光层不匹配，空穴和电子的注入传输效率不高且不平衡，因此目前全无机QLED器件的效率均比较低。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种全无机量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有的全无机QLED器件的效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种全无机量子点发光二极管，其中，依次包括：衬底、底电极、空穴功能层、核壳结构量子点发光层、第一电子传输层以及顶电极，其中空穴功能层以及第一电子传输层均由无机半导体材料组成，所述空穴功能层包括空穴注入层和第一空穴传输层；

在空穴功能层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二空穴传输层；和/或在第一电子传输层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二电子传输层，所述第二空穴传输层及第二电子传输层的材料与核壳结构量子点发光层的壳层材料一致。

所述的全无机量子点发光二极管，其中，所述无机半导体材料NiO_x或ZnO。

所述的全无机量子点发光二极管，其中，所述空穴注入层和第一空穴传输层采用真空蒸镀、溅射、旋涂或打印方式制成；所述第一电子传输层采用真空蒸镀、溅射、旋涂或打印方式制成。

所述的全无机量子点发光二极管，其中，所述第二空穴传输层及第二电子传输层使用纳米粒子、溶胶凝胶以及化学浴沉积方式制成。

所述的全无机量子点发光二极管，其中，所述核壳结构量子点发光层为CdSe/ZnSe、CdS/ZnS或CdS/ZnSe。

所述的全无机量子点发光二极管，其中，所述第二空穴传输层及第二电子传输层的材料为ZnS或ZnSe。

一种全无机量子点发光二极管的制备方法，其中，其包括步骤：

A、准备一衬底；

B、在所述衬底上制作底电极；

C、在所述底电极上沉积空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和第一空穴传输层；

D、在所述第一空穴传输层上沉积核壳结构量子点发光层；

E、在所述核壳结构量子点发光层上沉积第一电子传输层；

F、在所述第一电子传输层上沉积顶电极；

其中，在空穴功能层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二空穴传输层；和/或在第一电子传输层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二电子传输层，所述第二空穴传输层及第二电子传输层的材料与核壳结构量子点发光层的壳层材料一致。

所述的全无机量子点发光二极管的制备方法，其中，所述步骤C中，采用真空蒸镀、溅射、旋涂或打印方式沉积空穴功能层。

所述的全无机量子点发光二极管的制备方法，其中，所述步骤E中，采用真空蒸镀、溅射、旋涂或打印方式沉积第一电子传输层。

所述的全无机量子点发光二极管的制备方法，其中，所述第二空穴传输层及第二电子传输层使用纳米粒子、溶胶凝胶以及化学浴沉积方式制成。

有益效果：本发明通过在器件中添加与核壳结构量子点壳层材料一致的电子或者空穴传输层，从而改善器件中电子或者空穴的注入和传输效率，平衡电子和空穴在量子点发光层中的浓度，提高了器件的效率。

附图说明

图1为本发明一种全无机量子点发光二极管较佳实施例未添加电子或者空穴传输层时的结构示意图。

图2为本发明一种全无机量子点发光二极管第一实施例的结构示意图。

图3为本发明一种全无机量子点发光二极管第二实施例的结构示意图。

图4为本发明一种全无机量子点发光二极管第三实施例的结构示意图。

具体实施方式