[发明专利]一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法有效

专利信息
申请号: 201610038229.3 申请日: 2016-01-20
公开(公告)号: CN106991201B 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 陈静;黄建强;罗杰馨;柴展;吕凯;何伟伟 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 宋缨
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 soi mosfet 剂量 模型 参数 确定 方法
【权利要求书】:

1.一种SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1:获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据,其中,在开工作状态下,施加在各端口的电压为V_drain=V_source=V_body=V_substrate=0V,V_gate=VDD,在关工作状态下,施加在各端口电压为V_drain=V_source=V_body=V_substrate=V_gate=0V,其中,V_drain为漏极电压,V_source为源极电压,V_body为体区电压,V_substrate为基底电压,V_gate为栅极电压,VDD为工作电压;

S2:筛选步骤S1得到的数据,并导入测试数据到参数提取软件;

S3:提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数;

S4:导出总剂量集约模型卡文件;

S5:导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件,生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。

2.根据权利要求1所述的SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S1中,所述MOSFET为PMOS或NMOS。

3.根据权利要求1所述的SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S1中,采用钴60辐照源进行辐照测试。

4.根据权利要求1所述的SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S1中,辐射剂量范围是0~1000k rad/SiO2

5.根据权利要求1所述的SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S1中,至少采用两种辐射剂量进行辐照测试。

6.根据权利要求1所述的SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S2中,筛选步骤S1得到的数据包括如下步骤:计算每组测试数据各个剂量点的阈值电压,如果该组数据的阈值电压变化为随剂量增大而单调减小,则选取该组数据。

7.根据权利要求1所述的SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S2中,所述参数提取软件为TIDFit。

8.根据权利要求1所述的SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S2中,还包括设置器件的工艺参数、几何参数及类型参数的步骤。

9.根据权利要求8所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:还包括仿真没有辐照前的器件转移特性,并根据得到的亚阈值斜率值对所述工艺参数中的亚阈值斜率参数进行修正的步骤,修正之后重新仿真本底电流。

10.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S3中,还包括调节上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数以修正曲线的拟合细节的步骤。

11.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S3中,所述上边角等效晶体管参数包括上边角栅氧厚度、上边角阈值电压、上边角阈值电压偏移、上边角迁移率、上边角剂量饱和因子、上边角饱和速度及上边角宽度中的一种或多种;所述场氧侧壁等效晶体管参数包括场氧侧壁栅氧厚度、场氧侧壁阈值电压、场氧侧壁阈值电压偏移、场氧侧壁迁移率、场氧侧壁剂量饱和因子、场氧侧壁饱和速度、场氧侧壁宽度及弱反型系数中的一种或多种。

12.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法,其特征在于:于所述步骤S4中,导出至少四种不同尺寸的SOIMOSFET的单点模型,其中,所述单点模型是指对应单一一种尺寸的模型。

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