[发明专利]一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法

说明书

本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。本发明采用了与主晶体管分立的方式进行参数提取，细化了物理模型中各个区域的敏感参数，提高了参数拟合的准确度，可以准确地拟合出SOI MOSFET受总剂量辐射效应影响时在亚阈值区产生的hump效应，模型以Bin模型卡的形式存在，可以仿真全区域尺寸器件总剂量效应。

技术领域

本发明属于器件集约模型参数提取技术领域，特别是涉及一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法。

背景技术

随着空间技术的不断发展，信息社会使用的电子产品被越来越广泛地应用于空间探测与太空航行。而太空中存在的各类射线，将对电子产品产生不可逆破坏，从而使空间仪器失灵。SOI(Silicon-On-Insulator)是一种绝缘体上硅技术，其很好地降低地空间粒子对电路造成的单粒子翻转、单粒子闩锁等辐射效应，但由于其仍然存在大量的硅、二氧化硅界面(浅槽隔离场氧、埋氧)，使得辐射粒子在这些界面产生大量的冗余电荷，进一步导致电子器件不能工作在正常工作区。从而对基于SOI器件的电路进行辐射工艺加固与设计加固成为必要。

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)集约模型是一种将MOSFET器件物理效应描述为数学方程，并通过参数提取形成可供电路大规模EDA仿真的模型。SOI MOSFET集约模型是一种可以用于仿真SOI器件的集约模型。高精度与高速度的集约模型可以缩小电路设计者在设计与流片成品之间的差异，可以大大提高设计准确度，缩短开发周期。

SOI MOSFET总剂量集约模型是一种可以反映出总剂量在SOI MOSFET中影响，并能通过仿真准确地反映在电路电学特性的变化上。通过这种模型可以为电路设计者提供可行可靠的辐射加固电路设计方案，减少辐射测试次数，大幅缩短设计周期与研发资金投入。

现有的SOI MOSFET总剂量集约模型是基于在主晶体管外围加子电路的基本思路而建立的宏模型。而宏模型的建立必须通过参数提取才能得到对应工艺的可用于仿真的集约模型。其包含器件辐照测试数据采集与参数提取两大部分。现有的SOI MOSFET总剂量集约模型存在参数提取过程复杂的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，用于解决现有技术中SOI MOSFET总剂量集约模型参数提取过程复杂、精确度不高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：

S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；

S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；

S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；

S4：导出总剂量集约模型卡文件；

S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。

可选地，于所述步骤S1中，所述MOSFET为PMOS或NMOS。

可选地，于所述步骤S1中，采用钴60辐照源进行辐照测试。