[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

基底；

指纹识别区域，位于所述基底上；

底部电极，位于所述指纹识别区域中，所述底部电极的表面设置有若干凹槽图案，以增加所述底部电极的表面积。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽图案的底部剩余的电极材料的厚度大于200埃。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽图案的侧壁为竖直或者倾斜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽图案由凹槽沿直线和/或曲线延伸形成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还进一步包括钝化层和/或焊盘层，位于所述底部电极的上方。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还进一步包括输入输出区，位于所述指纹识别区域的周围。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述底部电极的下方还形成有CMOS器件。

8.一种权利要求1至7之一所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，所述基底上形成有指纹识别区域，在所述指纹识别区域中形成有底部电极；

对所述底部电极进行图案化，以在所述底部电极上形成若干凹槽图案，以增加所述底部电极的表面积。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：

在所述底部电极上形成钝化层和/或焊盘层，以覆盖所述底部电极；

图案化所述钝化层和/或所述焊盘层，以在所述指纹识别区域的周围形成输入输出区。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述凹槽图案的底部剩余的电极材料的厚度大于200埃。

11.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求1至7之一所述的半导 体器件。