[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为互补型薄膜晶体管，所述互补型薄 膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型薄膜晶体管包括：

第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第一电 极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第二电极的图形；

N型金属氧化物薄膜晶体管的半导体层图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的半导体层 图形；

第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第三电 极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第四电极的图形；

其中，所述第一电极和第三电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极，所述第二 电极和第四电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型薄膜晶体管包括：

第一金属层的图形；

第一绝缘层的图形；

第一半导体层图形；

间隔层；

第二半导体层图形；

第二金属层的图形；

其中，所述第一半导体层图形和第二半导体层图形其中之一为N型金属氧化物薄膜晶 体管半导体层图形，另一为P型金属氧化物薄膜晶体管半导体层图形。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型薄膜晶体管还包括：

第二绝缘层的图形，位于第二金属层与间隔层以及第二金属层与第二半导体层之间。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型薄膜晶体管包括：

第一金属层的图形；

第一绝缘层的图形；

同层设置的第一半导体层和第二半导体层的图形；

第二金属层的图形；

其中，所述第一半导体层图形和第二半导体层图形其中之一为N型金属氧化物薄膜晶 体管半导体层图形，另一为P型金属氧化物薄膜晶体管半导体层图形。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型薄膜晶体管还包括：

第二绝缘层的图形，位于第二金属层与第一半导体层以及第二金属层与第二半导体层 之间。

7.根据权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述N型金属氧化物薄膜 晶体管采用的半导体材料包括IGZO、IZO或ZON。

8.根据权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述P型金属氧化物薄膜 晶体管采用的半导体材料包括CuO或SnO。

9.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型 金属氧化物薄膜晶体管。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述形成互补型薄膜 晶体管的步骤包括：

通过一次构图工艺形成第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属氧化 物薄膜晶体管的第一电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第二电极的图形；

形成N型金属氧化物薄膜晶体管的半导体层图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的半导 体层图形；

通过一次构图工艺形成第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括N型金属氧化 物薄膜晶体管的第三电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第四电极的图形；

其中，所述第一电极和第三电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极，所述第二 电极和第四电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极。