[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和 显示装置。

背景技术

现有的互补型(CMOS)薄膜晶体管(即同时包括N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管) 通常是以低温多晶硅(LTPS)作为半导体层材料，但是由于低温多晶硅的工艺过程复杂，可 控性差，并且均匀性不好，目前还没有应用于6代线以上大面积的显示装置。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用于 解决现有的以低温多晶硅作为半导体层材料的互补型薄膜晶体管性能差难以应用于大面 积的显示装置的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为互补型薄 膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶 体管。

优选地，所述互补型薄膜晶体管包括：

第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第 一电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第二电极的图形；

N型金属氧化物薄膜晶体管的半导体层图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的半导 体层图形；

第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第 三电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第四电极的图形；

其中，所述第一电极和第三电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极，所述 第二电极和第四电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极。

优选地，所述互补型薄膜晶体管包括：

第一金属层的图形；

第一绝缘层的图形；

第一半导体层图形；

间隔层；

第二半导体层图形；

第二金属层的图形；

其中，所述第一半导体层图形和第二半导体层图形其中之一为N型金属氧化物薄 膜晶体管半导体层图形，另一为P型金属氧化物薄膜晶体管半导体层图形。

优选地，所述互补型薄膜晶体管还包括：

第二绝缘层的图形，位于第二金属层与间隔层以及第二金属层与第二半导体层之 间。

优选地，所述互补型薄膜晶体管包括：

第一金属层的图形；

第一绝缘层的图形；

同层设置的第一半导体层和第二半导体层的图形；

第二金属层的图形；

其中，所述第一半导体层图形和第二半导体层图形其中之一为N型金属氧化物薄 膜晶体管半导体层图形，另一为P型金属氧化物薄膜晶体管半导体层图形。

优选地，所述互补型薄膜晶体管还包括：

第二绝缘层的图形，位于第二金属层与第一半导体层以及第二金属层与第二半导 体层之间。

优选地，所述N型金属氧化物薄膜晶体管采用的半导体材料包括IGZO、IZO或ZON。

优选地，所述P型金属氧化物薄膜晶体管采用的半导体材料包括CuO或SnO。

本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管 和P型金属氧化物薄膜晶体管。

优选地，所述形成互补型薄膜晶体管的步骤包括：

通过一次构图工艺形成第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属 氧化物薄膜晶体管的第一电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第二电极的图形；

形成N型金属氧化物薄膜晶体管的半导体层图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的 半导体层图形；

通过一次构图工艺形成第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括N型金属 氧化物薄膜晶体管的第三电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第四电极的图形；

其中，所述第一电极和第三电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极，所述 第二电极和第四电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极。

优选地，所述形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的半导 体层图形的步骤包括：

形成第一半导体层图形；

形成间隔层；

形成第二半导体层图形；