[发明专利]一种电源端防反接保护的大电流电机驱动电路在审

专利信息
申请号: 201610045635.2 申请日: 2016-01-21
公开(公告)号: CN105552840A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 胡万训;傅乃云;解振强;王强 申请(专利权)人: 南京奥联汽车电子电器股份有限公司
主分类号: H02H7/08 分类号: H02H7/08;H02H7/09;H02H11/00
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 查俊奎;朱戈胜
地址: 211153 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 反接 保护 电流 电机 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及汽车电机大电流驱动反接保护以及驱动应用领域,特别是一种电源端防反接保护的大电流电机驱动电路。

背景技术

随着经济的飞速发展,汽车产业逐渐上升为我国经济支柱产业,伴随着现代汽车电子控制技术的快速发展,越来越多的自动变速器的开始涌现,自动变速器的市场占有率也逐步提高;AMT换挡器将汽车运行工况的传感器信号传递给电子控制单元(ECU-ElectronicControlUnit),ECU经过分析处理,发送PWM指令控制直流电机正转和反转,实现选档电机的角度转动和传动机构的执行;因此行业内不仅对大电流电机驱动电源端防反接保护电路动电路的耐久性、可靠性、稳定性、耐高温环境性能要求严格,同时,解决负载本身输出过流、输出短路、输出开路、ESD带来的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题为:在电源端增加MOS管,利用P沟道的MOS管实现大电流电机驱动的电源反接保护的同时,使用两个半桥集成芯片组成全桥驱动实现电机大电流的控制,避免输出负载出现输出过流、输出短路、输出开路、ESD带来的问题。

为了实现上述目的,本发明采取的技术手段具体为:一种电源端防反接保护的大电流电机驱动电路,包括控制模块、电源模块、电源端反接保护模块、第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块、第一预驱动模块、第二预驱动模块、第一负载诊断模块和第二负载诊断模块;所述电源端反接保护模块包括P沟道MOS管,所述电源模块与P沟道MOS管的源极连接,所述P沟道MOS管的栅极接地,所述P沟道MOS管的漏极与第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块的电源端连接,所述第一半桥驱动模块与第二半桥驱动模块组成H桥驱动模块用于驱动电机,所述控制模块与第一预驱动模块、第二预驱动模块连接,所述第一预驱动模块与第一半桥驱动模块连接,所述第二预驱动模块与第二半桥驱动模块连接,所述第一半桥驱动模块与第一负载诊断模块连接,所述第一负载诊断模块与控制模块连接,所述第二半桥驱动模块与第二负载诊断模块连接,所述第二负载诊断模块与控制模块连接,所述第一半桥驱动模块和第二半桥驱动模块的接地端用于接地。

本发明中,各功能电路可采用现有相应功能电路形式,驱驱模块可采用现有半桥驱动集成芯片,P沟道MOS管及其周边处理电路为现有技术,本发明基于现有半桥驱动集成芯片应用技术,即通过控制模块经过预驱动模块应用于H桥驱动模块,并实时PID算法输出PWM信号至预驱模块,控制H桥驱动模块以实现电机的正转和反转,控制模块连接至预驱动模块,预驱动模块连接至H桥驱动模块,再由负载诊断模块连接至控制模块,由控制模块通过负载诊断模块实时监控负载的运行状态,一旦负载出现异常,通过控制模块的策略,并及时关闭负载驱动,反馈诊断信息。在应用时,所述电源模块经电源端反接保护模块后给第一半桥驱动模块和第二半桥驱动模块供电。

进一步地,所述电源端反接保护模块包括高频滤波单元、输入过压保护单元、输出过压保护单元、输出稳压单元、电阻单元和吸收电路单元;所述高频滤波单元与输入过压保护单元连接,所述输入过压保护单元与P沟道MOS管的源极连接,所述吸收电路单元连接在P沟道MOS管的的源极和漏极之间,所述电阻单元一端与P沟道MOS管的栅极连接,其另一端接地,所述输出过压保护单元连接在P沟道MOS管的漏极和栅极之间,所述输出稳压单元与P沟道MOS管的漏极连接。

进一步地,所述高频滤波单元包括电容C2和电容C5,所述输入过压保护单元包括TVS管TVS2,所述输出过压保护单元包括TVS管TVS1和电容C4,所述输出稳压单元包括电解电容E1与电容C3,所述电阻单元包括电阻R2,所述吸收电路单元包括电阻R1和电容C1;所述P沟道MOS管的源极与电容C2的一端连接,所述C2的另一端与电容C5的一端连接,所述电容C5的另一端接地;所述TVS管TVS2的一端与P沟道MOS管的源极连接,另一端接地,所述电阻R1与电容C1串联,所述电解电容E1与电容C3并联且其一公共端与P沟道MOS管的漏极连接,其另一公共端接地,所述电阻R2与P沟道MOS管的栅极连接,其另一端接地,所述TVS管TVS1和电容C4并联且其一公共端与P沟道MOS管的漏极连接,其另一公共端与P沟道MOS管的栅极连接。

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