[发明专利]一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱

说明书

本发明涉及一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，属于半导体设备制造技术领域。一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，包括中央支柱体、导流螺杆、O型圈、反应腔顶盖、进水管、出水管、上盖、排气窗和反应腔底座，其特征在于，所述中央支柱体外套有隔热外套。本发明通过在中央支柱体外增加隔热外套，减少反应腔内高热气流对中央支柱体的加热效应，减小中央支柱体的形变以及高热反应气体对中央支柱体表面的刻蚀，以达到延长中央支柱的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体设备制造技术领域，特别涉及一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱。

背景技术

随着半导体发光芯片发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光芯片已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。

MOCVD是适合生长半导体照明用LED材料外延片的良好技术，也是一种工业化的经济实用技术，其生长原理是：在一块加热适当温度的衬底上，含有Ⅲ和V族元素的气态化合物有控制的输送到衬底表面，生长出有特定组分、特定厚度、特定电学和光学参数的薄膜沉积材料。可见，反应腔是装个MOCVD设备最核心的部分，也是LED生长整个过程的环境保证。

在整个过程中，反应腔需要提供真空超高温的生长条件(500-1200℃)，当反应腔尺寸不断增加以降低生长成本的时候，用不锈钢制成的反应腔顶盖会产生形变。形变的产生不仅影响了反应腔顶盖的寿命，尤其对其内部的水槽密封产生较大影响；另外，由于形变使反应腔和载盘的距离、空间形状均 发生了变化，继而影响反应腔气相反应的条件，不仅会影响生长物的质量，也会影响其均匀性，这在量产化的过程中几乎是致命的。显而易见，常见的MOCVD反应腔结构，如图1所示，中国专利ZL201020546826.5公开的一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，就存在前述几种本质缺陷。

发明内容

本发明的目的在于针对上述问题，提供了一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，能够显著改善反应腔顶盖的抗形变能力。

本发明的目的是这样实现的：

一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，包括中央支柱体、导流螺杆、O型圈、反应腔顶盖、进水管、出水管、上盖、排气窗和反应腔底座，其特征在于，所述中央支柱体外套有隔热外套。

其中，所述隔热外套与中央支柱体之间留有间隙，该间隙为0.1mm-2mm之间。

其中，所述隔热外套的底部抵接于反应腔底座，其顶部与反应腔顶盖之间留有间隙。

其中，所述隔热外套由耐高温耐腐蚀的无机或金属材料制成。

其中，所述隔热外套的壁厚为0.5mm-5mm之间。

本发明的有益效果为：通过在中央支柱体外增加隔热外套，减少反应腔内高热气流对中央支柱体的加热效应，减小中央支柱体的形变以及高热反应气体对中央支柱体表面的刻蚀，以达到延长中央支柱的使用寿命。

附图说明

图1为现有金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱的结构图。

图2为本发明的结构图。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图，进一步阐述本发明。

如图1所示，为中国专利ZL201020546826.5公开的现有金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，主要包括中央支柱体1、导流螺杆2、O型圈3、反应腔顶盖4、进水管5、出水管6、上盖7、排气窗8和反应腔底座10。

由于中央支柱体1也处于MOCVD反应腔之内，也需要承受真空超高温的环境以及反应气体对其表面的刻蚀。