[发明专利]一种温度调阻75千欧电阻片及其制备方法

权利要求书

1.一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层、绝缘层、电阻层和釉层，其特征在于，所述绝缘层上部依次为焊接层、电阻层和釉层，所述焊接层的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层为陶瓷基片；

一种温度调阻75千欧电阻片的制备方法，包括以下步骤：

第一步：选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635㎜³，以150目丝网印刷尺寸为10.1*18㎜²厚℃为15UM的绝缘层；

第二步：选择850℃，银含量为80%的银浆，在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17㎜²的银层，经850℃烧结，得到厚度为12UM的反面焊接层；

第二步：选择850℃烧结，方阻为100KΩ/□，温度系数50PPM/℃钌系电阻浆料，在焊接层正面，利用200目丝网印刷电阻层，尺寸为17*10.2㎜²，经800℃烧结得到厚底为8UM的电阻层；

第三步：在电阻层两边，采用150目丝网印刷宽度为2.5㎜，长为15㎜的银电极；两银电极尺寸为15*17㎜²，中间空10*17㎜²为电阻层，经800℃烧结得到连接引线的银电极；

第四步：在电阻层上面，采用550到580℃烧结的玻璃釉，用6温区厚膜烧结炉，设定温度曲线为：350-450-550-550-450-350，转速为200r/min；

第五步：采用数字电桥测试电阻，按电阻大小分区放置，按公差5%，A区：71.25KΩ-78.75KΩ；B区：63.75KΩ-71.24KΩ；C区：56.25KΩ-71.25KΩ；

第六步：温度调阻：A区为良品，不需调阻，B区采用厚膜烧结炉，烧结温度调整350-450-570-570-450-350，转速：200r/min，C区产品，烧结温度调整为400-500-590-590-500-400转速180r/min，再次用数字电桥测试电阻，按同样方式分区，经2到3次调阻，98%均可达到A区范围。