[发明专利]一种温度调阻75千欧电阻片及其制备方法

说明书

一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层、绝缘层、电阻层和釉层，所述绝缘层上部依次为焊接层、电阻层和釉层，所述焊接层的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层为陶瓷基片，所述电阻层采用温度调阻制备工艺制成，印完电阻层与焊接层的正面银极，均采取低于电阻层850度烧结，控制电阻片电阻低于公差上限，再利用釉层中温烧结时，部份玻璃釉渗透到电阻层结构内，会增大电阻之特性，针对不同电阻范围的产品按不同温度返炉烧结，以达到增加电阻，从面保证良品率在98%以上。

技术领域

本发明属于电阻片，具体为一种温度调阻75千欧电阻片及其制备方法。

背景技术

现在电阻片调阻工艺主要依靠激光切割机或喷沙，对电阻层进分割，从面达到精密调阻目的，此工艺直接破坏了电阻层及玻璃釉层，影响了电阻片的电性能。

现有的电阻片主要依靠激光切割机对电阻层进行分割，从而加大电阻，得到所要的电阻，温度调阻电阻片，电阻层采取低800度烧结，控制电阻片电阻低于公差上限，再利用釉层中温烧结时，部份玻璃釉渗透到电阻层结构内，会增大电阻之特性，针对不同电阻范围的产品按不同温度返炉烧结，以达到增加电阻，从而保证良品率在98%以上。

激光或喷沙调阻，对厚膜电阻片带来众多问题：调阻改变了电阻层的结构，造成的电阻膜局部损伤，改变电流密度分布，导致损伤处发热不匀，厚膜电阻的功率承受能力和稳定性大为降低，调阻工艺将会损伤基片，使基片的绝缘性变差，基片功率承受能力下降；调阻工艺所使用的设备成本高；所以，性能优越的大功率电阻片制作的技术关键：制作时电阻一致性好，避免采用损伤的调阻工艺，本温度调阻制备工艺有投入成本低，不损伤电阻层及基片，电阻片的电性能好的优点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种温度调阻75千欧电阻片及其制备方法，解决背景技术中的问题。

本发明采用以下技术方案实现：

一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层、绝缘层、电阻层和釉层，所述绝缘层上部依次为焊接层、电阻层和釉层，所述焊接层的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层为陶瓷基片。

一种温度调阻75千欧电阻片的制备方法，包括以下步骤：

第一步：选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635㎜；选择850度，银含量为80%的银浆；

第二步：在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17㎜的银层，经850度烧结，得到厚度为12UM的反面焊接层；

第二步：选择850度烧结，方阻为100KΩ，温度系数50PPM/℃钌系电阻浆料，在陶瓷正面，利用200目丝网印刷电阻层，尺寸为17*10.2㎜，经800度烧结得到厚底为8UM的电阻层；

第三步：在电阻层两边，采用150目丝网印刷宽度为2.5㎜，长为15㎜的银电极；两银电极尺寸为15*17㎜，中间空10*17㎜为电阻层，经800度烧结得到连接引线的银电极；

第四步：在电阻层上面，采用550到580度烧结的玻璃釉，以150目丝网印刷尺寸为10.1*18㎜厚度为15UM的绝缘层，用6温区厚膜烧结炉，设定温度曲线为：350-450-550-550-450-350，转速为200㎜/M；

第五步：采用数字电桥测试电阻，按电阻大小分区放置，按公差5%，A区：71.25KΩ-78.75KΩ；B区：63.75KΩ-71.24KΩ；C区：56.25KΩ-71.25KΩ；

第六步：温度调阻：A区为良品，不需调阻，B区采用厚膜烧结炉，烧结温度调整350-450-570-570-450-350，转速：200㎜/M，C区产品，烧结温度调整为400-500-590-590-500-400转速180㎜/M，再次用数字电桥测试电阻，按同样方式分区，经2到3次调阻，98%均可达到A区范围。