[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

衬底(21)；

形成在所述衬底(21)上的扫描线(22)、栅电极(231)和存储电容电极线(24)，所述栅电极(231)与所述扫描线(22)电连接；

覆盖在所述扫描线(22)、所述栅电极(231)和所述存储电容电极线(24)上的栅绝缘层(25)；

形成在所述栅绝缘层(25)上的半导体层(26)、数据线(27)、源电极(233)和漏电极(234)，其中所述扫描线(22)与所述数据线(27)交叉限定多个像素区域，每个像素区域内形成有像素电极(28)，所述半导体层(26)具有第一区域(261)，所述源电极(233)和所述漏电极(234)相互间隔且均与所述半导体层(26)的第一区域(261)接触，所述源电极(233)与所述漏电极(234)之一与所述数据线(27)电连接，所述源电极(233)与所述漏电极(234)之另一与所述像素电极(28)电连接；

其特征在于，

所述栅绝缘层(25)上还形成有第一电极(41)、第二电极(42)和电极引线(43)，所述半导体层(26)还具有第二区域(262)，所述第一电极(41)和所述第二电极(42)相互间隔且均与所述半导体层(26)的第二区域(262)接触，所述第一电极(41)、所述半导体层(26)的第二区域(262)与所述第二电极(42)之间形成金属-半导体-金属结构的光探测器(40)，所述栅绝缘层(25)中形成有过孔(251)，所述第一电极(41)与所述第二电极(42)之一与所述电极引线(43)相连并通过所述电极引线(43)引出，所述第一电极(41)与所述第二电极(42)之另一通过所述过孔(251)与所述存储电容电极线(24)电连接；

所述光探测器(40)的数量为多个，分布在所述衬底(21)上；

所述薄膜晶体管阵列基板采用双扫描线像素阵列结构，两条相邻数据线(27)之间设有两列像素电极(28)，每条数据线(27)与位于该条数据线(27)两侧的两列像素电极(28)相连，上下相邻两行的像素电极(28)之间设有两条紧邻的扫描线(22)，同一行的像素电极(28)连接在位于该行像素电极(28)上下两侧的两条扫描线(22)上，所述光探测器(40)设置在两条相邻数据线(27)之间的两列像素电极(28)之间。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一电极(41)与所述电极引线(43)相连并通过所述电极引线(43)引出连接至第一公共电位，所述第二电极(42)通过所述过孔(251)与所述存储电容电极线(24)电连接，所述第二电极(42)通过所述存储电容电极线(24)连接至第二公共电位。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，每个像素区域内均设置有一个所述光探测器(40)，且所有光探测器(40)均位于每两条相邻数据线(27)之间的两列像素电极(28)之间，位于同一列上的光探测器(40)通过同一条电极引线(43)引出。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述半导体层(26)采用非晶硅层(26a)。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述半导体层(26)还包括掺杂非晶硅层(26b)；所述半导体层(26)的第一区域(261)和所述半导体层(26)的第二区域(262)均形成有所述非晶硅层(26a)和所述掺杂非晶硅层(26b)，或者所述半导体层(26)的第一区域(261)形成有所述非晶硅层(26a)和所述掺杂非晶硅层(26b)，所述半导体层(26)的第二区域(262)仅形成有所述非晶硅层(26a)。