[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板有效
申请号: | 201610048203.7 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN105702682B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 钟德镇;郑会龙 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 制作方法 液晶显示 面板 | ||
一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板,该薄膜晶体管阵列基板包括:衬底;形成在衬底上的扫描线、栅电极和存储电容电极线;覆盖在扫描线、栅电极、存储电容电极线上的栅绝缘层;形成在栅绝缘层上的半导体层、数据线、源电极、漏电极、第一电极、第二电极和电极引线,其中半导体层具有第一区域和第二区域;第一电极和第二电极相互间隔且均与半导体层的第二区域接触,第一电极、半导体层的第二区域与第二电极之间形成金属‑半导体‑金属结构的光探测器,栅绝缘层中形成有过孔,第一电极与第二电极之一与电极引线相连并通过电极引线引出,第一电极与第二电极之另一通过栅绝缘层中的过孔与栅绝缘层下方的存储电容电极线电连接。
技术领域
本发明涉及液晶显示的技术领域,特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,以及具有该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括对置的薄膜晶体管阵列基板(TFTarray)和彩色滤光片基板(color filter,CF)以及夹置在两者之间的液晶层(LC layer)。
人对显示面板的亮度要求随着环境光强度改变而变化,白天环境光较强时需要显示面板亮一些,而在晚上或在昏暗的房间内则显示面板的亮度可以降低一些。现有技术解决该问题的方法有:(1)、手动调节显示面板的亮度;(2)、外置半导体光传感器检测环境光亮度,再根据外置光传感器的检测结果调节显示面板的亮度。
然而,手动调整显示面板亮度,操作不方便,造成用户体验差;而通过外置半导体光传感器进行环境光亮度检测,导致成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,通过在显示面板中集成设置光探测器检测环境光的亮度,并自动调节背光的亮度,实现白天或晚上显示面板亮度的自动切换。
本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板,包括:
衬底;
形成在所述衬底上的扫描线、栅电极和存储电容电极线,所述栅电极与所述扫描线电连接;
覆盖在所述扫描线、所述栅电极和所述存储电容电极线上的栅绝缘层;
形成在所述栅绝缘层上的半导体层、数据线、源电极和漏电极,其中所述扫描线与所述数据线交叉限定多个像素区域,每个像素区域内形成有像素电极,所述半导体层具有第一区域,所述源电极和所述漏电极相互间隔且均与所述半导体层的第一区域接触,所述源电极与所述漏电极之一与所述数据线电连接,所述源电极与所述漏电极之另一与所述像素电极电连接;
所述栅绝缘层上还形成有第一电极、第二电极和电极引线,所述半导体层还具有第二区域,所述第一电极和所述第二电极相互间隔且均与所述半导体层的第二区域接触,所述第一电极、所述半导体层的第二区域与所述第二电极之间形成金属-半导体-金属结构的光探测器,所述栅绝缘层中形成有过孔,所述第一电极与所述第二电极之一与所述电极引线相连并通过所述电极引线引出,所述第一电极与所述第二电极之另一通过所述过孔与所述存储电容电极线电连接。
进一步地,所述光探测器的数量为多个,分布在所述衬底上。
进一步地,所述第一电极与所述电极引线相连并通过所述电极引线引出连接至第一公共电位,所述第二电极通过所述过孔与所述存储电容电极线电连接,所述第二电极通过所述存储电容电极线连接至第二公共电位。
进一步地,所述薄膜晶体管阵列基板采用双扫描线像素阵列结构,两条相邻数据线之间设有两列像素电极,每条数据线与位于该条数据线两侧的两列像素电极相连,上下相邻两行的像素电极之间设有两条紧邻的扫描线,同一行的像素电极连接在位于该行像素电极上下两侧的两条扫描线上,所述光探测器设置在两条相邻数据线之间的两列像素电极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的