[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201610049260.7 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN105679767A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 梁魁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板,所述衬底基板 上设置有至少两层折射层,在所述折射层上设置有栅极;
相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离 衬底基板的折射层的折射率,所述折射层的厚度为nλ+λ/4,λ为入射 光的波长,n为非负整数。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述折射层 的数量为两层,两层所述折射层分别为靠近衬底基板的第一折射层 以及远离衬底基板的第二折射层。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一折 射层的构成材料包括氮化硅材料,所述第二折射层的构成材料包括 非晶硅材料。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一折 射层的厚度范围包括50nm至60nm,所述第二折射层的厚度范围包 括25nm至35nm或者55nm至65nm。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一折 射层的厚度为55nm,所述第二折射层的厚度为30nm或者60nm。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一折 射层的折射率范围包括1.8至2.2,所述第二折射层的折射率范围包 括4.0至4.8。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述第一折 射层的折射率为2.0,所述第二折射层的折射率范围包括4.4。
8.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至7任一所述 的显示基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求8所述的显示面 板。
10.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成至少两层折射层,相邻两个折射层之中靠近 衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率, 所述折射层的厚度为nλ+λ/4,λ为入射光的波长,n为非负整数;
在所述折射层上形成栅极。
11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法,其特征在于, 所述在衬底基板上形成至少两层折射层的步骤包括:
在衬底基板上形成第一折射层;
在所述第一折射层上形成第二折射层。
12.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法,其特征在于, 所述第一折射层的构成材料包括氮化硅材料,所述第二折射层的构 成材料包括非晶硅材料。
13.根据权利要求12所述的显示基板的制备方法,其特征在于, 所述在所述第一折射层上形成第二折射层的步骤包括:
在所述第一折射层上形成第二折射层薄膜;
在所述折射层上形成栅极的步骤包括:
在所述第二折射层薄膜上形成栅金属薄膜;
对所述第二折射层薄膜和栅金属薄膜进行刻蚀以形成第二折射 层和栅极,所述第二折射层位于所述栅极的正下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的