[发明专利]一种有机硅橡胶的腔体灌封方法有效

专利信息
申请号: 201610050931.1 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105448747B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 吴晟杰;韩玉成;陈凯;张桂榕;宋丽娟;黄星凡;王丹 申请(专利权)人: 中国振华集团云科电子有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所53113 代理人: 张玺
地址: 550000 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 硅橡胶 腔体灌封 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子器件生产技术领域,具体为一种电子器件生产中使用的有机硅橡胶的腔体灌封方法。

背景技术

目前,电子器件行业广泛采用灌封材料进行整体封装。采用灌封材料灌封固化时不会产生副产物,固化物具有优良的电绝缘性能和介电性能,并且有很强的化学稳定性能、耐腐蚀性能、耐热性和很好的密封性。通过对腔体进行灌封固化可以有效防止外力损伤以及水分、有害气体和微粒的侵蚀,从而达到稳定元器件的目的。目前,常用的灌封材料有环氧树脂胶、有机硅橡胶等,本发明针对使用的是有机硅橡胶。常规的灌封方法是直接将灌封材料挤入腔体中,这种灌封过程方法很容易产生气泡,在电源滤波器运行的过程中会因为气泡而发生电击穿现象,这是极其严重的安全隐患。现有技术中有人提出添加去泡剂用于去除气泡的影响,也有人使用搅拌的方法去除气泡,这些方法都是在气泡产生后消除气泡,并不能完全抑制气泡的产生。

发明内容

本发明所解决的技术问题在于提供一种有机硅橡胶的腔体灌封方法,从而解决上述背景技术中的问题。

本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:

一种有机硅橡胶的腔体灌封方法,先对腔体进行预热处理,然后进行有机硅橡胶灌封;在灌封时,先对腔体的角落进行灌封,再沿着腔体的边壁进行灌封,通过来回拉动灌封胶棒使胶分布均匀。

本发明中,作为一种优选的技术方案,具体步骤如下:

第1步:将待灌封的腔体放入烘干箱中,调整温度至75-85℃,持续烘干10-15分钟,为避免烫伤需要戴上手套取出腔体;

第2步:从腔体的一个角开始,缓慢持续的注入有机硅橡胶,直到机硅橡胶在该角的注入高度达到腔体高度的1/4为止;

第3步:同样采用第2步的方法,缓慢持续的注入有机硅橡胶,将其余各个角分别注入高度均为腔体高度的1/4的有机硅橡胶;

第4步:沿着腔体的其中一条边,通过来回拉动的方式,缓慢持续的注入有机硅橡胶,直到注入有机硅橡胶的高度达到腔体的1/2为止;

第5步:同样采用第4步的方法,沿着腔体的其余边,通过来回拉动的方式,分别缓慢持续的注入有机硅橡胶,直到注满整个腔体为止;

第6步:将注满有机硅橡胶的腔体常温下放置4-6天,硅橡胶即可凝固,从而完成灌封。

上述步骤中,来回拉动的方式是指将灌封胶棒(有机硅橡胶棒)边注入,边沿着腔体的该条边往复运动。

本发明中,作为一种优选的技术方案,所述腔体尤其为电源滤波器的腔体。

本发明中,作为一种优选的技术方案,第1步中,烘干箱温度调整为80℃,持续烘干10分钟。

本发明中,作为一种优选的技术方案,第6步中,在常温下放置5天。

由于采用了以上技术方案,本发明具有以下有益效果:

硅橡胶的固化物具有良好的耐腐蚀性、耐热性,灌封满整个腔体后,不仅能保证器件的电性能,还能起到良好的减震作用。本发明在进行灌封前,先对腔体进行预热处理,在热烘干处理后的腔体中进行灌封能有效减少气泡的产生;在灌封时,先对角落进行灌封,保证角落充分灌封后,再沿着边壁进行灌封,通过来回拉动灌封胶棒使胶分布均匀,高度达到腔体的一半高度即可;再次同样使用来回拉动灌封胶棒的方法将整个腔体灌封满,通过本灌封方法,能有效去除灌封过程中产生的气泡。

水分或水汽与硅胶结合会形成很多氢键,不利于气泡的排除,对腔体进行烘干加热处理,有利于排出腔体水分,保持腔体的干燥,从而减少气泡的产生。

由于硅橡胶有很强的粘稠度,在灌封时,角落很难及时排出气泡,在灌封时先顺着角落注入能有效抑制气泡的产生。

本发明广泛用于电子器件行业腔体灌封,尤其是电源滤波器的腔体灌封。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。

一种有机硅橡胶的腔体灌封方法,先对腔体进行预热处理,然后进行有机硅橡胶灌封;在灌封时,先对角落进行灌封,再沿着边壁进行灌封,通过来回拉动灌封胶棒使胶分布均匀。

实施例1

一种有机硅橡胶的腔体灌封方法,具体步骤如下:

第1步:将待灌封的电源滤波器腔体放入烘干箱中,调整温度至75℃,持续烘干10分钟,为避免烫伤需要戴上手套取出腔体;

第2步:从腔体的一个角开始,缓慢持续的注入有机硅橡胶,直到机硅橡胶在该角的注入高度达到腔体高度的1/4为止;

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