[发明专利]一种可制造性设计仿真器设计方法及系统

权利要求书

1.一种可制造性设计仿真器设计方法，其特征在于，包括：

接收集成电路设计版图，并将集成电路设计版图划分仿真网格；

根据所述集成电路设计版图及化学机械平坦化工艺数据计算各仿真网格的接触压力；

根据各仿真网格的接触压力仿真执行化学机械平坦化工艺后各仿真网格的形貌；

根据执行化学机械平坦化工艺后各仿真网格的形貌优化所述集成电路设计版图；

其中，所述根据所述集成电路设计版图及化学机械平坦化工艺数据计算各仿真网格的接触压力包括：

以所述仿真网格为单元提取所述集成电路设计版图的版图特征；

根据所述版图特征及淀积工艺数据获取淀积工艺后各仿真网格的版图特征；

根据所述淀积工艺后各仿真网格的版图特征及所述化学机械平坦化工艺数据计算各仿真网格受到的接触压力；

计算各仿真网格受到的接触压力包括：

利用公式：

计算各仿真网格受到的全局接触压力，其中，υ是泊松比，E是弹性模量，S(x)表示芯片表面形貌，a₀为力平衡常数，F₀(t)是t时刻的外加载荷，即芯片携载器对芯片表面的压力，L为接触区域，x为网格位置，p(x,t)为接触压力分布，ω为积分变量；

基于仿真网格内提取的特征参数及全局接触压力，建立带图形特征的局部接触压力，局部接触压力包括：等效线宽区域的接触压力p_W(x,t)及等效间距区域的接触压力p_S(x,t)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述版图特征包括以下任意一种或多种：仿真网格等效密度、仿真网格特征线宽、仿真网格特征间距。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各仿真网格的接触压力仿真执行化学机械平坦化工艺后各仿真网格的形貌包括：

根据各仿真网格受到的局部接触压力计算各仿真网格的研磨去除率；

根据各仿真网格的研磨去除率更新各仿真网格的形貌。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据执行化学机械平坦化工艺后各仿真网格的形貌优化所述集成电路设计版图包括：

根据所述各仿真网格的形貌对所述集成电路设计版图进行热点检查，获取不能满足可制造性设计的热点或对铜互连线进行时序预测，及早发现时序设计违规；

对所述热点或时序设计违规进行版图修复。

5.一种可制造性设计仿真器设计系统，其特征在于，包括：

接收模块，用于接收集成电路设计版图；

网格划分模块，用于将集成电路设计版图划分仿真网格；

计算模块，用于根据所述集成电路设计版图及化学机械平坦化工艺数据计算各仿真网格的接触压力；

仿真模块，用于根据各仿真网格的接触压力仿真执行化学机械平坦化工艺后各仿真网格的形貌；

优化模块，用于根据执行化学机械平坦化工艺后各仿真网格的形貌优化所述集成电路设计版图；

其中，所述计算模块包括：

提取单元，用于以所述仿真网格为单元提取所述集成电路设计版图的版图特征；

获取单元，用于根据所述版图特征及淀积工艺数据获取淀积工艺后各仿真网格的版图特征；

计算单元，用于根据所述淀积工艺后各仿真网格的版图特征及所述化学机械平坦化工艺数据计算各仿真网格受到的接触压力；

计算各仿真网格受到的接触压力包括：

利用公式：

计算各仿真网格受到的全局接触压力，其中，υ是泊松比，E是弹性模量，S(x)表示芯片表面形貌，a₀为力平衡常数，F₀(t)是t时刻的外加载荷，即芯片携载器对芯片表面的压力，L为接触区域，x为网格位置，p(x,t)为接触压力分布，ω为积分变量；

基于仿真网格内提取的特征参数及全局接触压力，建立带图形特征的局部接触压力，局部接触压力包括：等效线宽区域的接触压力p_W(x,t)及等效间距区域的接触压力p_S(x,t)。