[发明专利]一种电致发光器件的封装结构及其封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及器件封装技术领域，尤其涉及一种电致发光器件的封装结构及其封装 方法。

背景技术

电致发光显示器具备体积小，超轻、超薄、高分辨率、高速率、全彩色、宽视角、 可主动发光、可弯曲、低功耗、原材料种类丰富等众多优点，而且也容易实现大面积 制备、湿法制备以及柔性器件的制备，因此在显示领域有着广泛应用前景，备受青睐 和关注。然而，电致发光材料的稳定性是目前制约电致发光器件寿命与稳定性的瓶颈。 例如，有机电致发光显示器包括形成在绝缘衬底上的有机发光二级管(OrganicLight EmittingDiode,OLED)等有机发光器件和形成在有机发光器件上的封装结构。电致发 光器件对水、氧很敏感，对封装要求很高，封装的好坏直接影响器件的寿命。所以， 像OLED、量子点发光二极管(QLED，QuantumDotLightEmittingDiode)这类电致 发光器件，对氧气及水蒸气的渗透率要求比较严格。目前，有很多关于提高OLED、 QLED器件发光效率、寿命及稳定性的器件结构、衬底材料以及封装方法的研究。然 而，目前OLED、QLED器件的封装技术仍然难以符合市场化的实际需求。

在现有技术中，电致发光器件封装方法包括如下所述的几种：

1、传统金属箔片封装方法。

金属箔片衬底的耐受温度高(大于1000℃)、对水蒸气和氧气的阻隔性能基本能 达到电致发光器件的制作要求，金属箔片厚度在小于0.1mm时有较高的机械强度等优 点。但是，金属是可导电的材料，而且表面粗糙度较大，为了避免表面导电并覆盖掉 金属箔表面的凹凸不平，必须在表面镀制SiO₂等薄膜作为缓冲层，而且SiO₂层镀制 的厚度必须有一定的要求，这样会延长SiO₂层的镀制时间，增加衬底的厚度，降低衬 底的可弯曲程度。而且，金属箔片不透光，其重量及成本问题也限制了这种封装方法 在有机电致发光器件上的应用。

2、薄膜封装技术。

在该技术中，一般采用有机无机多层薄膜交错叠加封装。无机薄膜具备较好的水 汽阻隔能力，通常可以作为阻挡层。但是，无机薄膜在生成过程中会大大降低其阻隔 能力，且使用这种混合溶液铺膜，需在高温下固化才能满足高致密性的要求，这种薄 膜封装结构阻隔性能要满足电致发光器件对水氧的要求需要采用真空镀膜、PEALD、 PECVD等价格昂贵的设备，要满足流水线式生产所需的成本很高。

由此可知，现有技术中的电致发光器件封装方法中存在如上所述的各种问题，难 以满足实际的需要，亟待需要提出一种能够显著降低成本，同时有能达到较好的效果 的电致发光器件封装方法。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种电致发光器件的封装结构及其封装方法，从而可以 显著降低成本，同时达到较好的封装效果。

本发明的技术方案具体是这样实现的：

一种电致发光器件的封装方法，该方法包括：

设置一电致发光基板，并在所述电致发光基板上设置电致发光器件；

在所述电致发光器件的外围覆盖至少一层阻挡层；

在所述阻挡层的外围涂布纳米颗粒墨水形成液封层；

通过光子烧结方式对液封层进行烧结，形成致密的无机绝缘层。

较佳的，所述阻挡层为单层有机材料层或无机材料层；

或者，所述阻挡层为至少一组交替设置的多个有机材料层和多个无机材料层。

较佳的，所述电致发光器件为有机发光二级管OLED或者量子点发光二极管 QLED。

较佳的，所述在所述电致发光器件的外围覆盖至少一层阻挡层包括：

在所述电致发光器件的正面和/或四周侧面覆盖至少一层阻挡层。

较佳的，通过喷墨打印-紫外固化、闪蒸发-紫外固化、化学气相沉积、气相聚合、 等离子体聚合中的任意一种或多种方法形成所述阻挡层。

较佳的，通过印刷、喷涂、打印中的任意一种或多种方法在所述阻挡层上涂布纳 米颗粒墨水。

较佳的，所述纳米颗粒墨水的纳米颗粒粒径为10nm～1000nm。

较佳的，所述纳米颗粒墨水的颗粒形状为圆形、圆柱形、扁圆形，线形中的任意 一种或多种。