[发明专利]具有薄化介电材料的结构

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，其包含：

在基板上沉积高k介电质；

直接在pFET侧的该高k介电质上沉积氮化钛层；以及

直接在nFET侧的该高k介电质上及该pFET侧的该高k介电质上方的该氮化钛层上沉积具有含有TiCl₄的先驱物的氮化钛膜，以蚀刻在该nFET侧的该高k介电质，導致在该pFET侧及该nFET侧的该高k介电质的厚度不同，

其中，在该pFET侧的该高k介电质相较于在该nFET侧的该高k介电质更厚，並且该高k介电质是HfO₂。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该先驱物更包含NH₃。

3.如权利要求1所述的方法，其中，具有含有TiCl₄的该先驱物的该氮化钛膜是以等于或高于300℃的温度沉积。

4.如权利要求3所述的方法，其中，具有含有TiCl₄的该先驱物的该氮化钛膜是以500℃的温度沉积。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在该蚀刻之前，先直接在pFET侧的该高k介电质上沉积该氮化钛层，使得该氮化钛层阻止具有含有TiCl₄的该先驱物的该氮化钛膜直接在该pFET侧的该高k介电质上沉积，而且仅位在该基板的nFET侧的该高k介电质是通过使位在该nFET侧上的该高k介电质曝露至具有含有TiCl₄的该先驱物的该氮化钛膜来进行薄化。

6.如权利要求5所述的方法，其中，该氮化钛层是在该基板的该nFET侧上沉积，并且随后经移除以使位在该基板的该nFET侧的该高k介电质曝露，以便具有含有TiCl₄的该先驱物的该氮化钛膜直接在该nFET侧的该高k介电质上沉积。

7.如权利要求1所述的方法，其中，通过在该高k介电质的经曝露部分上沉积具有含有TiCl₄的该先驱物的该氮化钛膜，于该pFET侧及该nFET侧两者蚀刻该高k介电质。

8.一种制造半导体结构的方法，其包含：

在基板的pFET侧及nFET侧上沉积高k介电材料；

直接在该基板的该pFET侧的该高k介电材料上沉积氮化钛层；以及

直接在该基板的该nFET侧的该高k介电材料上及该pFET侧上的该高k介电材料上方的该氮化钛层上沉积具有含有TiCl₄的先驱物的氮化钛，以蚀刻在该nFET侧的该高k介电材料，導致在该pFET侧及该nFET侧的该高k介电材料的厚度不同，

其中，该高k介电材料是HfO₂。

9.如权利要求8所述的方法，其中，该先驱物更包含NH₃。

10.如权利要求8所述的方法，其中，该含有TiCl₄的先驱物的氮化钛是以等于或高于300℃的温度沉积。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该含有TiCl₄的先驱物的氮化钛是以500℃的温度沉积。

12.如权利要求8所述的方法，其中，直接在该pFET侧的该高k介电材料上沉积该氮化钛层，使得该氮化钛层阻止该含有TiCl₄的先驱物的氮化钛直接在该pFET侧的该高k介电材料上沉积，而且仅位在该基板的该nFET侧的该高k介电材料才进行薄化。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该氮化钛层是在该基板的该nFET侧上沉积，并且随后经移除以曝露位在该基板的nFET侧的该高k介电材料，以便该含有TiCl₄的先驱物的氮化钛仅薄化位在该nFET侧旳该高k介电材料。