[发明专利]分离式栅闪存结构

权利要求书

1.一种分离式栅闪存结构，其特征在于，包括：

衬底，设置有源区和漏区；

擦除栅，设置于所述源区之上；

分栅结构，设置于所述源区和漏区之间的所述衬底之上，所述分栅结构包括浮栅、控制栅以及包括一个水平部分和一个垂直部分的L形字线栅，且所述L形字线栅的水平部分的上表面低于所述浮栅的上表面；

其中，所述控制栅设置于所述浮栅和所述L形字线栅的水平部分之上，且部分位于所述L形字线栅的水平部分之上的所述控制栅的下表面低于所述浮栅的上表面使得所述控制栅与所述浮栅具有部分纵向交叠区域，以增加所述控制栅和所述浮栅的耦合面积。

2.如权利要求1所述的分离式栅闪存结构，其特征在于，所述L形字线栅的水平部分比所述控制栅的厚度薄180～220埃。

3.如权利要求1所述的分离式栅闪存结构，其特征在于，所述L形字线栅的材质为多晶硅或金属。

4.如权利要求1所述的分离式栅闪存结构，其特征在于，所述浮栅为方体结构，且所述浮栅临近所述擦除栅的拐角设置为圆角。

5.如权利要求1所述的分离式栅闪存结构，其特征在于，所述分栅结构和所述擦除栅之间设置有遂穿氧化层。

6.如权利要求1所述的分离式栅闪存结构，其特征在于，所述L形字线栅和所述衬底之间设置有栅介质层。

7.如权利要求6所述的分离式栅闪存结构，其特征在于，所述栅介质层的材质为二氧化硅或高介电常数材料。