[发明专利]一种高线性度的堆叠结构的射频功率放大器

权利要求书

1.一种高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，其特征在于：该射频功率放大器包括输入匹配电路，输出宽带匹配电路，偏置电路A，偏置电路B，以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路；其中，射频信号源通过所述输入匹配电路连接所述功率放大电路的最底层的晶体管的栅极，所述偏置电路B连接所述最底层晶体管的栅极；所述偏置电路A连接所述功率放大电路的除所述最底层晶体管的其余晶体管的栅极，所述其余晶体管的栅极通过连接栅极电容接地；所述其余晶体管的源极通过连接LC串联电路接地；所述功率放大电路最上层的晶体管的漏极通过所述输出宽带匹配电路连接负载。

2.根据权利要求1所述的高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，其特征在于：所述偏置电路A和偏置电路B由一个整合的偏置电路代替。

3.根据权利要求1所述的高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，其特征在于：所述最底层晶体管的源极直接接地。

4.根据权利要求1所述的高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，其特征在于：所述偏置电路B为电阻与晶体管组成的偏置电路，偏置电路A为电阻分压式偏置电路。

5.根据权利要求1所述的高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，其特征在于：所述功率放大电路中堆叠的晶体管的偏置电压不等分，最上层晶体管的偏置电压最低，最下层晶体管的偏置电压最高，其余晶体管的偏置电压介于两者之间。

6.根据权利要求1所述的高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，其特征在于：所述输出宽带匹配电路中设有二次谐波抑制电路。

7.根据权利要求1所述的高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，其特征在于：电源经滤波电路连接到所述功率放大电路的最上层的晶体管的漏极。

8.根据权利要求7所述的高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，其特征在于：所述滤波电路由滤波电容和扼流电感组成。

9.根据权利要求8所述的高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，其特征在于：所述滤波电路由低频滤波电容、高频滤波电容和扼流电感组成。