[发明专利]电压调节器

权利要求书

1.一种电压调节器，其特征在于，包括：误差放大器、第二放电通路、调整管以及零点补偿电路，其中：

所述误差放大器包括第一放电通路，所述第一放电通路耦接于所述调整管的控制端与地线之间，包括偏置电流源，且所述第一放电通路的放电电流不大于所述偏置电流源的最大输出电流；

所述调整管，输入端与预设电压源耦接；输出端与所述电压调节器的输出端耦接；控制端与第一放电通路的输入端、所述第二放电通路的输入端耦接，且所述控制端的电位随所述电压调节器的输出端电压同向变化；所述调整管为第一PMOS管；

所述第二放电通路，耦接于所述调整管的控制端与地线之间；

所述第一放电通路的放电电流与所述第二放电通路的放电电流之和随所述调整管的控制端的电位反向变化；

所述第二放电通路包括：第二PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管，其中：

所述第二PMOS管的源极与所述预设电压源耦接，栅极与所述第一PMOS管的栅极耦接，漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接；

所述第一NMOS管的栅极与漏极耦接，源极与地线耦接；

所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极耦接，漏极与所述偏置电流源的输入端耦接，源极与所述偏置电流源的输出端以及地线耦接；

所述零点补偿电路包括：阻抗单元以及第一电容，所述阻抗单元包括：第三PMOS管、第四PMOS管以及第三NMOS管，所述阻抗单元的阻抗值随着第二放电通路中电流的变化而动态变化，从而所述零点补偿电路随着第二放电通路中电流的变化而进行动态的稳定性补偿，其中：所述第一电容为米勒电容，

所述第一电容第一端与所述第二PMOS管的栅极耦接，第二端与所述第三PMOS管的源极耦接；

所述第三PMOS管，栅极与所述第四PMOS管的栅极以及漏极耦接，漏极与所述第四PMOS管的源极、以及所述电压调节器的输出端耦接，第三PMOS管的阻抗与第三NMOS管上的电流相关，当第三NMOS管上的电流增加时，第三PMOS管的阻抗减小，当第三NMOS管上的电流降低时，第三PMOS管的阻抗增加；

所述第四PMOS管，漏极与所述第三NMOS管的漏极耦接，第四PMOS管为第三PMOS管提供偏置电压；

所述第三NMOS管，栅极与所述第一NMOS管的漏极耦接，源极与地线耦接，第三NMOS管为第三PMOS管提供偏置电流。

2.如权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，所述第一PMOS管的源极为所述调整管的输入端，栅极为所述调整管的控制端，漏极为所述调整管的输出端。

3.如权利要求2所述的电压调节器，其特征在于，所述零点补偿电路，耦接在所述误差放大器与所述电压调节器的输出端之间，适于对所述电压调节器的环路的稳定性进行补偿。

4.如权利要求2所述的电压调节器，其特征在于，所述误差放大器与采样电阻耦接，适于将所述采样电阻采集到的所述电压调节器的输出端电压与参考电压进行比较。

5.如权利要求4所述的电压调节器，其特征在于，所述采样电阻包括第一电阻以及第二电阻，其中：

所述第一电阻的第一端与所述电压调节器的输出端耦接，第二端与所述误差放大器耦接；

所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第二端耦接，第二端与地耦接。

6.如权利要求5所述的电压调节器，其特征在于，所述误差放大器包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管以及偏置电流源，其中：

所述第五PMOS管的源极与所述预设电压源耦接，栅极与所述第六PMOS管的栅极以及漏极耦接，漏极与所述第二PMOS管的栅极耦接；所述第六PMOS管的源极与所述预设电压源耦接，漏极与所述第五NMOS管的漏极耦接；

所述第四NMOS管，源极与所述偏置电流源的输入端耦接，栅极输入参考电压值，漏极与所述第五PMOS管的漏极耦接；

所述第五NMOS管，源极与所述偏置电流源的输入端以及所述第二NMOS管的漏极耦接，栅极与所述第二电阻的第一端耦接。

7.如权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，还包括：负载电容，第一端与所述电压调节器的输出端耦接，第二端与地耦接。