[发明专利]电压调节器

说明书

一种电压调节器，包括误差放大器、第二放电通路以及调整管，其中：所述误差放大器包括第一放电通路，所述第一放电通路耦接于所述调整管的控制端与地线之间，包括偏置电流源，且所述第一放电通路的放电电流不大于所述偏置电流源的最大输出电流；所述调整管，输入端与预设电压源耦接；输出端与所述电压调节器的输出端耦接；控制端与第一放电通路的输入端、所述第二放电通路的输入端耦接，且所述控制端的电位随所述电压调节器的输出端电压同向变化；所述第二放电通路，耦接于所述调整管的控制端与地线之间；所述第一放电通路的放电电流与所述第二放电通路的放电电流之和随所述调整管的控制端的电位反向变化。所述电压调节器具有较高的响应速度。

技术领域

本发明涉及电子领域，尤其涉及一种电压调节器。

背景技术

随着电子技术的发展，电压调节器的应用越来越广泛。例如，很多模拟电路、射频电路、存储器电路以及片上系统(System On a Chip，SoC)等。

在实际应用中，当负载电流发生变化时，通常需要电压调节器能够提供较快的响应速度。在传统的电压调节器中，在负载电流突然发生变化时，电压调节器通常通过偏置电流对电容的充放电来响应，响应时间取决于偏置电流对电容的充放电速度。

传统的电压调节器存在响应速度较慢的问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何提高电压调节器的响应速度。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种电压调节器，包括：误差放大器、第二放电通路以及调整管，其中：

所述误差放大器包括第一放电通路，所述第一放电通路耦接于所述调整管的控制端与地线之间，包括偏置电流源，且所述第一放电通路的放电电流不大于所述偏置电流源的最大输出电流；

所述调整管，输入端与预设电压源耦接；输出端与所述电压调节器的输出端耦接；控制端与第一放电通路的输入端、所述第二放电通路的输入端耦接，且所述控制端的电位随所述电压调节器的输出端电压同向变化；

所述第二放电通路，耦接于所述调整管的控制端与地线之间；所述第一放电通路的放电电流与所述第二放电通路的放电电流之和随所述调整管的控制端的电位反向变化。

可选的，所述调整管为第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极为所述调整管的输入端，栅极为所述调整管的控制端，漏极为所述调整管的输出端。

可选的，所述第二放电通路包括：第二PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管，其中：所述第二PMOS管的源极与所述预设电压源耦接，栅极与所述第一PMOS管的栅极耦接，漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接；所述第一NMOS管的栅极与漏极耦接，源极与地线耦接；所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极耦接，漏极与所述偏置电流源的输入端耦接，源极与所述偏置电流源的输出端以及地线耦接。

可选的，所述电压调节器还包括：零点补偿电路，耦接在所述误差放大器与所述电压调节器的输出端之间，适于对所述电压调节器的环路的稳定性进行补偿。

可选的，所述零点补偿电路包括：阻抗单元以及第一电容，其中：所述第一电容，第一端与所述第二PMOS管的栅极耦接，第二端与所述阻抗单元的第一端耦接；所述阻抗单元，第二端与所述电压调节器的输出端耦接。

可选的，所述阻抗单元包括：第三PMOS管、第四PMOS管以及第三NMOS管，其中：所述第一电容为米勒电容，第一端与所述第二PMOS管的栅极耦接，第二端与所述第三PMOS管的源极耦接；所述第三PMOS管，栅极与所述第四PMOS管的栅极以及漏极耦接，漏极与所述第四PMOS管的源极耦接；所述第四PMOS管，漏极与所述第三NMOS管的源极耦接；所述第三NMOS管，栅极与所述第一NMOS管的漏极耦接，源极与地线耦接。