[发明专利]一种共极集成二极管

权利要求书

1.一种共极集成二极管，共用阳极的多个二极管的集成结构；其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上掺杂一低掺杂漂移区；所述低掺杂漂移区上连接两个或者两个以上的电极；

其中，在所述低掺杂漂移区与所述半导体衬底之间或者在所述低掺杂漂移区内形成PN结的情况下，所述两个或者两个以上的电极到二极管结构的PN结的距离不同，在离PN结最远的一个阴极与阳极构成的二极管的低掺杂漂移区内形成多个低击穿电压的二极管；

其中，所述低掺杂漂移区为N型低掺杂漂移区；

所述N型低掺杂漂移区内设置一重掺杂P型区；

所述重掺杂P型区的掺杂浓度比所述N型低掺杂漂移区的掺杂浓度高至少一个数量级；

其中，所述重掺杂P型区构成阳极与所述两个或者两个以上的电极构成两个或者两个以上的具备不同击穿电压的共阳极二极管。

2.如权利要求1所述的共极集成二极管，其特征在于：所述N型低掺杂漂移区内设置至少两个重掺杂N型接触区；

所述重掺杂N型接触区的掺杂浓度比所述N型低掺杂漂移区的掺杂浓度高至少一个数量级；

其中，所述重掺杂N型接触区构成阴极；所述两个或者两个以上的电极与所述重掺杂N型接触区相连，且与所述重掺杂P型区构成两个或者两个以上的具备不同击穿电压的二极管。

3.如权利要求2所述的共极集成二极管，其特征在于：任意相邻的所述重掺杂P型区与所述重掺杂N型接触区间，任意相邻的所述重掺杂N型接触区之间设置绝缘隔离层；

其中，所述绝缘隔离层采用绝缘隔离材料，且其深度要大于所述重掺杂P型区与所述重掺杂N型接触区的深度。

4.如权利要求1所述的共极集成二极管，其特征在于：所述半导体衬底为P型掺杂，所述低掺杂漂移区为N型掺杂，两者间形成PN结；

所述低掺杂漂移区内设置两个或者两个以上重掺杂N型接触区；

其中，所述两个或者两个以上重掺杂N型接触区作为阴极，各自连接一个电极，与作为阳极的所述半导体衬底构成集成的多个共阳极二极管。

5.如权利要求1所述的共极集成二极管，其特征在于：所述半导体衬底为N型掺杂，所述低掺杂漂移区为P型掺杂，两者间形成PN结；

所述低掺杂漂移区内设置两个或者两个以上重掺杂P型接触区；

其中，所述两个或者两个以上重掺杂P型接触区作为阳极，各自连接一个电极，与作为阴极的所述半导体衬底构成集成的多个共阴极二极管。

6.如权利要求4所述的共极集成二极管，其特征在于：任意相邻的所述重掺杂N型接触区间设置绝缘隔离层；

其中，所述绝缘隔离层采用绝缘隔离材料，且其深度要大于所述重掺杂N型接触区的深度。

7.如权利要求5所述的共极集成二极管，其特征在于：任意相邻的所述重掺杂P型接触区间设置绝缘隔离层；

其中，所述绝缘隔离层采用绝缘隔离材料，且其深度要大于所述重掺杂P型接触区的深度。

8.一种共极集成二极管，共用阴极的多个二极管的集成结构；其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上掺杂一低掺杂漂移区；所述低掺杂漂移区上连接两个或者两个以上的电极；

其中，在所述低掺杂漂移区与所述半导体衬底之间或者在所述低掺杂漂移区内形成PN结的情况下，所述两个或者两个以上的电极到二极管结构的PN结的距离不同，在离PN结最远的一个阴极与阳极构成的二极管的低掺杂漂移区内形成多个低击穿电压的二极管；

其中，所述低掺杂漂移区为P型低掺杂漂移区；

所述P型低掺杂漂移区内设置一重掺杂N型区；

所述重掺杂N型区的掺杂浓度比所述P型低掺杂漂移区的掺杂浓度高至少一个数量级；

其中，所述重掺杂N型区构成阴极与所述两个或者两个以上的电极构成两个或者两个以上的具备不同击穿电压的共阴极二极管。