[发明专利]一种共极集成二极管

说明书

本发明属于半导体技术领域，公开了一种共极集成二极管，包括共用阳极或者阴极的多个二极管结构；包括：半导体衬底；所述半导体衬底上掺杂一低掺杂漂移区；所述低掺杂漂移区上连接两个或者两个以上的电极；其中，在所述低掺杂漂移区与所述半导体衬底之间或者在所述低掺杂漂移区内形成PN结的情况下，所述两个或者两个以上的电极到二极管结构的PN结的距离不同。本发明提供了一种空间占用率低，安全性高的多二极管集成结构。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种共极集成二极管。

背景技术

在许多电路应用中,经常有多个不同击穿电压(BV)的二极管，而它们的阴极或阳极被连接在一起。

在一个集成电路中，这些二极管必须小心置放,以减少不必要的电路相互感应作用，以防止不必要的击穿、压穿或闩锁。通常相邻二极管之间必须保留一个很大的空间，另外一般需再附加隔离层。这种解决方案的不利之处是占用了半导体晶片的大量空间。尤其对于击穿电压较高的二极管，情况会变得更为严重。

发明内容

本发明提供一种共极集成二极管，解决现有技术中多二极管共极连接使用情况下，占用半导体晶片大的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种共极集成二极管，共用阳极或者阴极的多个二极管的集成结构；包括：半导体衬底；所述半导体衬底上掺杂一低掺杂漂移区；所述低掺杂漂移区上连接两个或者两个以上的电极；

其中，在所述低掺杂漂移区与所述半导体衬底之间或者在所述低掺杂漂移区内形成PN结的情况下，所述两个或者两个以上的电极到二极管结构的PN结的距离不同。

进一步地，所述低掺杂漂移区为N型低掺杂漂移区；

所述N型低掺杂漂移区内设置一重掺杂P型区；

所述重掺杂P型区的掺杂浓度比所述N型低掺杂漂移区的掺杂浓度高至少一个数量级；

其中，所述重掺杂P型区构成阳极与所述两个或者两个以上的电极构成两个或者两个以上的具备不同击穿电压的共阳极二极管。

进一步地，所述N型低掺杂漂移区内设置至少两个重掺杂N型接触区；

所述重掺杂N型接触区的掺杂浓度比所述N型低掺杂漂移区的掺杂浓度高至少一个数量级；

其中，所述重掺杂N型接触区构成阴极；所述两个或者两个以上的电极与所述重掺杂N型接触区相连，且与所述重掺杂P型区构成两个或者两个以上的具备不同击穿电压的二极管。

进一步地，任意相邻的所述重掺杂P型区与所述重掺杂N型接触区间，任意相邻的所述重掺杂N型接触区间设置绝缘隔离层；

其中，所述绝缘隔离层采用绝缘隔离材料，且其深度要大于所述重掺杂P型区与所述重掺杂N型接触区的深度。

进一步地，所述低掺杂漂移区为P型低掺杂漂移区；

所述P型低掺杂漂移区内设置一重掺杂N型区；

所述重掺杂N型区的掺杂浓度比所述P型低掺杂漂移区的掺杂浓度高至少一个数量级；

其中，所述重掺杂N型区构成阴极与所述两个或者两个以上的电极构成两个或者两个以上的具备不同击穿电压的共阴极二极管。

进一步地，所述P型低掺杂漂移区内设置至少两个重掺杂P型接触区；

所述重掺杂P型接触区的掺杂浓度比所述P型低掺杂漂移区的掺杂浓度高至少一个数量级；

其中，所述重掺杂P型接触区构成阳极；所述两个或者两个以上的电极与所述重掺杂P型接触区相连，且与所述重掺杂N型区构成两个或者两个以上的不同击穿电压的二极管。