[发明专利]一种批量多衬底制备石墨烯薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610063713.1 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105668559A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 高翾;李占成;姜浩;史浩飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C23C20/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 批量 衬底 制备 石墨 薄膜 方法 | ||
1.一种批量多衬底制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，该方法步骤如下：
(1)基底高温退火：将金属基底在温度900℃-1050℃下进行退火处理30min 以上，并冷却至室温；
(2)涂布碳源：在金属基底上涂布一层碳源溶液，并烘干溶液至固化；
(3)放样品：将涂有固态碳源的金属基底切成适合CVD反应腔体尺寸的大 小，并层状堆叠好；
(4)石墨烯成核：将涂有碳源的多层金属基底一并放入CVD反应腔体中，温 度升高至碳源的分解温度，碳原子重新组合，进入石墨烯成核阶段；
(5)薄膜生长：碳源分子扩散至整个金属基底上，在石墨烯晶核周围扩散并 继续外延生长，形成石墨烯薄膜；
(6)冷却：将基底和石墨烯进行冷却降温，完成石墨烯薄膜的制备。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属基底可以为Cu，Ru， Ni，Ir，Pt等中的一种或者两种的合金。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳源溶液可以是碳氢或者碳 氢氧的聚合物碳源，即聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯和聚甲基 丙烯酸酯的共聚物或者聚醚，聚酯，聚烯烃等。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述涂有固态碳源的金属基底的 层数为单层或2～100层中的任意层数。
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