[发明专利]一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201610064506.8 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105525354A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 刘毅;刘畅;侯佩佩;郑雪绒;沈亚英 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 四元硫代 砷酸盐 化合物 半导体材料 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料，其特征在于，其化学组成式分别为： BaAgAsS3，属于单斜晶系，P21/c空间群，晶胞参数α＝90°，β＝102.15(11)°，γ＝90°，Z＝4，Dc＝ 4.706g/cm3，单晶体为黄色块状，能隙为2.4eV。
2.一种如权利要求1所述的四元硫代砷酸盐化合物半导体材料的制备方法，其特征在 于将摩尔比为1.0-1.5：0.3-1.0：0.25：2.0-2.5的氢氧化钡、金属银、二元固溶体硫化砷和 单质硫混合，每0.61～0.86克混合物加入4mL85wt％水合肼，在160℃下中反应4-7天，经去 离子水和乙醇洗涤后得到BaAgAsS3。
3.一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料，其特征在于，其化学组成式分别为： SrAg4As2S6·H2O，属于单斜晶系，P21/m空间群，晶胞参数α＝90°，β＝115.895(11)°，γ＝90°，Z＝2，Dc＝4.321g/cm3，单晶体为黄色块状，能隙为2.3eV。
4.一种如权利要求3所述的四元硫代砷酸盐化合物半导体材料的制备方法，其特征在 于将摩尔比为1.0-1.5：0.2-1.5：0.2-0.25：2.0-2.5的氢氧化锶、金属银、二元固溶体硫化 砷和单质硫混合，每0.39～0.69克混合物加入4mL85wt％水合肼，在160℃下中反应4-7天， 经去离子水和乙醇洗涤后得到SrAg4As2S6·H2O。
5.一种如权利要求1或3所述的四元硫代砷酸盐化合物半导体材料的用途，其特征在 于：用于制备光电化学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
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