[发明专利]电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法

权利要求书

1.电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法，其特征在于包括以下步骤：

1)TEM样品制备：从硅片衬底上刮下少许硅氧化物纳米线粉末或者金属颗粒修饰后的 硅氧化物纳米线粉末，然后在超声振动下用有机溶剂分散，待团聚物充分分散开且形成颜色 均匀的悬浮液时，将含纳米线的有机溶液滴到附有碳支持膜的微栅上，干燥后即可放入透射 电镜中进行观察；

2)TEM样品安装：装样时，先将步骤1)得到的TEM样品放入样品座中固定好，然后 将样品杆逐步推入到样品室中并对透射电镜抽真空，在真空度达到要求后即可对纳米线进行 观察分析；

3)纳米线筛选：先在TEM低倍观察模式下对纳米线进行粗选。根据伸长加工的需要， 选择两端搭在支持膜微孔边缘且轴向平直的纳米线，然后在较高倍数观察模式下对微孔中的 纳米线作进一步筛选；

4)伸长加工：先在放大倍数为20000×～150000×下用电镜附带的CCD拍下辐照前所选 纳米线的形貌；然后选择辐照电流密度为10⁰～10¹A/cm²，对纳米线进行有针对性地辐照，并 在相同放大倍数下实时拍照记录纳米线伸长过程；在保持相同辐照条件下，重复辐照—拍照 过程，直至得到所需长度的纳米线。

2.如权利要求1所述电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法，其特征 在于在步骤1)中，所述有机溶剂采用乙醇或丙酮。

3.如权利要求1所述电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法，其特征 在于在步骤1)中，所述分散的时间为10～20min。

4.如权利要求1所述电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法，其特征 在于在步骤1)中，所述干燥采用晾干或烘干。

5.如权利要求1所述电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法，其特征 在于在步骤2)中，所述透射电镜采用加速电压为300kV的TecnaiF30场发射透射电子显微 镜。

6.如权利要求1所述电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法，其特征 在于在步骤3)中，所述低倍观察模式采用放大倍数为6000×左右的观察模式；所述较高倍数 观察模式采用放大倍数为20000×～150000×的观察模式。