[发明专利]MOSFET阈值电压波动模型的提取方法及装置有效
| 申请号： | 201610067356.6 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105653823B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 高超;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张凤伟;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 阈值 电压 波动 模型 提取 方法 装置 | ||
1.一种MOSFET阈值电压波动模型的提取方法，其特征在于，包括：
选取一MOSFET，所选取的MOSFET阈值电压相对设计目标值的偏移量为Vt’；
在所选取的MOSFET栅极施加预设的调节电压，其他各电极施加相应的工作电压，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型，包括以下至少一种：当提取所选取的MOSFET阈值电压偏移△V的模型时，所述预设的调节电压为所选取的MOSFET栅极的工作电压与△V的差再与Vt’求和，△V＞0；当提取所选取的MOSFET阈值电压偏移-△V的模型时，所述预设的调节电压为所选取的MOSFET栅极的工作电压与△V求和再与Vt’求和，△V＞0。
2.如权利要求1所述的MOSFET阈值电压波动模型的提取方法，其特征在于，所述MOSFET的工作电压，与所提取到的阈值电压波动模型实际应用电路情况以及所述MOSFET的制造工艺相关。
3.一种MOSFET阈值电压波动模型的提取装置，其特征在于，包括：
选取单元，适于选取一MOSFET，所选取的MOSFET阈值电压相对设计目标值的偏移量为Vt’；
提取单元，适于在所选取的MOSFET栅极施加预设的调节电压，其他各电极施加相应的工作电压，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型；所述提取单元包括第一提取子单元及第二提取子单元中的至少一种；其中：
所述第一提取子单元，适于在当提取所选取的MOSFET阈值电压偏移△V的模型时，在所选取的MOSFET栅极施加所述调节电压，且所述调节电压为所选取的MOSFET栅极的工作电压与△V的差再与Vt’求和，△V＞0，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型；
所述第二提取子单元，适于当提取所选取的MOSFET阈值电压偏移-△V的模型时，在所选取的MOSFET栅极施加所述调节电压，且所述调节电压为所选取的MOSFET栅极的工作电压与△V求和再与Vt’求和，△V＞0，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型。
4.如权利要求3所述的MOSFET阈值电压波动模型的提取装置，其特征在于，所述MOSFET的工作电压，与所提取到的阈值电压波动模型实际应用电路情况以及所述MOSFET的制造工艺相关。
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