[发明专利]MOSFET阈值电压波动模型的提取方法及装置

说明书

一种MOSFET阈值电压波动模型的提取方法及装置，所述方法包括：选取一MOSFET，所选取的MOSFET阈值电压相对设计目标值的偏移量为Vt’；在所选取的MOSFET栅极施加预设的调节电压，其他各电极施加相应的工作电压，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型。应用所述方法及装置可以提高MOSFET阈值电压波动模型的准确性。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种MOSFET阈值电压波动模型的提取方法及装置。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，MOSFET)，是一种可以广泛使用在集成电路中的场效晶体管(field-effecttransistor)。

在集成电路的设计阶段，通常需要对集成电路进行电路仿真。为了进行电路仿真，需要先建立各元器件的模型。也就是说，在电路仿真程序中，各种元器件需要通过相应的数学模型进行描述，即通过计算机可以进行运算的计算公式来表达各种元器件。一个理想的元器件模型，应该既能正确反映元器件的电学特性，又适于在计算机上进行数值求解。其中，根据所反映的电学特性不同，每个元器件可以存在多个模型。

随着元器件尺寸的逐渐缩小，在元器件制造流程中进行精确的工艺控制变得越来越困难，这就导致元器件的成品与所设计的目标存在工艺波动，例如，在制造流程中，栅极长度、栅氧厚度以及阱掺杂量等工艺的不同，会导致各MOSFET成品的阈值电压不尽相同。而元器件的工艺波动可以反映相应的电学特性，因此，在电路仿真中往往需要提取元器件的工艺波动模型。

目前，针对MOSFET阈值电压波动进行模型提取时，通常先通过特定的工艺来调整阱的掺杂量，进而制造出阈值电压发生一定偏移的MOSFET，再利用所制造出的MOSFET进行相应的模型提取。然而，MOSFET阈值电压发生波动，并非仅仅因阱的掺杂多少所导致的，因此，通过调整阱的掺杂量来制造出相应的MOSFET进行模型提取，所提取到的模型的准确性较低，影响电路仿真的结果。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何提高MOSFET阈值电压波动模型的准确性。

针对上述技术问题，本发明实施例提供一种MOSFET阈值电压波动模型的提取方法，所述方法包括：

选取一MOSFET，所选取的MOSFET阈值电压相对设计目标值的偏移量为Vt’；在所选取的MOSFET栅极施加预设的调节电压，其他各电极施加相应的工作电压，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型。

可选地，所述在所选取的MOSFET栅极施加预设的调节电压，其他各电极施加相应的工作电压，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型，包括：

当提取所选取的MOSFET阈值电压偏移△V的模型时，所述预设的调节电压为所选取的MOSFET栅极的工作电压与△V的差再与Vt’求和，△V＞0。

可选地，所述在所选取的MOSFET栅极施加预设的调节电压，其他各电极施加相应的工作电压，提取所选取的MOSFET在所述调节电压下对应的阈值电压波动模型，包括：

当提取所选取的MOSFET阈值电压偏移-△V的模型时，所述预设的调节电压为所选取的MOSFET栅极的工作电压与△V求和再与Vt’求和，△V＞0。

可选地，所述MOSFET的工作电压，与所提取到的阈值电压波动模型实际应用电路情况以及所述MOSFET的制造工艺相关。

本发明实施例还提供了一种MOSFET阈值电压波动模型的提取装置，所述装置包括：