[发明专利]源线电压提供电路和存储系统

权利要求书

1.一种源线电压提供电路，其特征在于，包括：电荷泵、比较器、分压电路、电流镜电路和调节电路；

所述分压电路的输入端连接所述电荷泵的输出端，所述分压电路的输出端连接所述比较器的第一输入端和电流镜电路的第二输出端；

所述比较器的第二输入端适于输入基准电压，所述比较器的输出端耦接所述电荷泵的使能端；

所述电流镜电路的第一输入端适于输入电源电压，所述电流镜电路的第二输入端适于输入所述电源电压，所述电流镜电路的第一输出端连接所述调节电路的输入端；

所述调节电路包括n个调节支路，n≥1，所述调节支路包括：第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接所述调节电路的输入端，所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极接地。

2.如权利要求1所述的源线电压提供电路，其特征在于，所述电流镜电路包括：第一PMOS管和第二PMOS管；

所述第一PMOS管的源极连接所述电流镜电路的第一输入端，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极和所述电流镜电路的第一输出端；

所述第二PMOS管的源极连接所述电流镜电路的第二输入端，所述第二PMOS管的漏极连接所述电流镜电路的第二输出端。

3.如权利要求1所述的源线电压提供电路，其特征在于，所述分压电路包括：

m个第三PMOS管，m≥2，

所述第三PMOS管的栅极连接自身的漏极；

第1个第三PMOS管的源极连接所述分压电路的输入端，后一个第三PMOS管的源极连接前一个第三PMOS管的漏极，最后一个第三PMOS管的漏极接地；

第k个第三PMOS管的漏极连接所述分压电路的输出端，1≤k＜m。

4.如权利要求1所述的源线电压提供电路，其特征在于，还包括：第三NMOS管，所述分压电路的输出端通过所述第三NMOS管连接所述电流镜电路的第二输出端。

5.一种存储系统，其特征在于，包括译码电路、存储器和权利要求1至3任一权利要求所述的源线电压提供电路；

所述源线电压提供电路中的电荷泵的输出端连接所述译码电路的输入端；

所述译码电路的输出端连接所述存储器中的源线。

6.如权利要求5所述的存储系统，其特征在于，还包括：控制单元；

所述控制单元适于使若干个调节支路处于电连通状态，其中，处于电连通状态的调节支路的数量与所述存储器需编程的位数相关。

7.如权利要求5所述的存储系统，其特征在于，还包括：控制单元；

所述控制单元适于控制n个第二NMOS管处于导通状态，并控制若干个第一NMOS管处于导通状态，其中，处于导通状态的第一NMOS管的数量与所述存储器需编程的位数相关。

8.一种存储系统，包括译码电路、存储器和权利要求4所述的源线电压提供电路；

所述源线电压提供电路中的电荷泵的输出端连接所述译码电路的输入端，所述源线电压提供电路中的第三NMOS管的栅极适于接收所述存储器的编程控制信号；

所述译码电路的输出端连接所述存储器中的源线。

9.如权利要求8所述的存储系统，其特征在于，还包括：控制单元；

所述控制单元适于使若干个调节支路处于电连通状态，其中，处于电连通状态的调节支路的数量与所述存储器需编程的位数相关。

10.如权利要求8所述的存储系统，其特征在于，还包括：控制单元；

所述控制单元适于控制n个第二NMOS管处于导通状态，并控制若干个第一NMOS管处于导通状态，其中，处于导通状态的第一NMOS管的数量与所述存储器需编程的位数相关。