[发明专利]源线电压提供电路和存储系统在审
申请号: | 201610069302.3 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105741876A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 胡剑 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐嘉;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 提供 电路 存储系统 | ||
技术领域
本发明涉及电学领域,尤其涉及一种源线电压提供电路和存储系统。
背景技术
在存储器的编程操作过程中,对于不同的编程位数,源线上的电流负载不同,所以源线连接的译码路径上的压降也不同,需要对源线电压进行合理地补偿,使得在不同的编程位数下,源线电压能保持稳定。
图1为一种现有源线电压提供电路,包括:电荷泵11、电阻R1、电流源电路13、传输NMOS管MN0、分压电路和比较器COM1。分压电路包括n个PMOS管,即第1个PMOS管MP11、第2个PMOS管MP12…..第n个PMOS管MP1n。
分压电路将电荷泵11的输出端电压HV进行分压处理,并将所述分压处理后的电压提供至比较器COM1的第一输入端。比较器COM1输出所述分压处理后的电压和基准电压Vref的大小比较结果。电荷泵根据所述大小比较结果来确定是否进入工作状态。电流源电路13可以提供补偿电流Icomp。
所述源线电压提供电路输出的源线电压Vpp=hv-icomp*r1-Vth公式1
在公式1中,hv为电荷泵11的输出端电压HV的电压值,icomp为补偿电流Icomp的电流值,r1为电阻R1的电阻值,Vth为传输NMOS管MN0的阈值电压。
不同的工艺条件下,传输NMOS管MN0的阈值电压会有所偏差,这导致现有源线电压提供电路的输出电压Vpp也易受工艺偏差的影响。再者,对于电荷泵11来说,电流源电路13使其产生了额外的电流负载,增大了功耗。
发明内容
本发明解决的问题是现有源线电压提供电路的输出电压易受工艺偏差的影响。
为解决上述问题,本发明提供一种源线电压提供电路,包括:电荷泵、比较器、分压电路、电流镜电路和调节电路;所述分压电路的输入端连接所述电荷泵的输出端,所述分压电路的输出端连接所述比较器的第一输入端和电流镜电路的第二输出端;
所述比较器的第二输入端适于输入基准电压,所述比较器的输出端耦接所述电荷泵的使能端;所述电流镜电路的第一输入端适于输入电源电压,所述电流镜电路的第二输入端适于输入所述电源电压,所述电流镜电路的第一输出端连接所述调节电路的输入端;所述调节电路包括n个调节支路,n≥1,所述调节支路包括:第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接所述调节电路的输入端,所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的源极接地。
可选的,所述电流镜电路包括:第一PMOS管和第二PMOS管;所述第一PMOS管的源极连接所述电流镜电路的第一输入端,所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极和所述电流镜电路的第一输出端;所述第二PMOS管的源极连接所述电流镜电路的第二输入端,所述第二PMOS管的漏极连接所述电流镜电路的第二输出端。
可选的,所述分压电路包括:m个第三PMOS管,m≥2,所述第三PMOS管的栅极连接自身的漏极;第1个第三PMOS管的源极连接所述分压电路的输入端,后一个第三PMOS管的源极连接前一个第三PMOS管的漏极,最后一个第三PMOS管的漏极接地;第k个第三PMOS管的漏极连接所述分压电路的输出端,1≤k<m。
可选的,所述源线电压提供电路还包括:第三NMOS管,所述分压电路的输出端通过所述第三NMOS管连接所述电流镜电路的第二输出端。
本发明还提供一种存储系统,包括上述源线电压提供电路、译码电路和存储器;所述源线电压提供电路中的电荷泵的输出端连接所述译码电路的输入端;所述译码电路的输出端连接所述存储器中的源线。
可选的,所述存储系统,其特征在于,还包括:控制单元;所述控制单元适于使若干个调节支路处于电连通状态,其中,处于电连通状态的调节支路的数量与所述存储器需编程的位数相关。
可选的,所述存储系统还包括:控制单元;所述控制单元适于控制n个第二NMOS管处于导通状态,并控制若干个第一NMOS管处于导通状态,其中,处于导通状态的第一NMOS管的数量与所述存储器需编程的位数相关。
本发明还提供一种存储系统,包括上述源线电压提供电路、译码电路和存储器;所述源线电压提供电路中的电荷泵的输出端连接所述译码电路的输入端,所述源线电压提供电路中的第三NMOS管的栅极适于接收所述存储器的编程控制信号;所述译码电路的输出端连接所述存储器中的源线。
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