[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

薄膜晶体管，包括：

栅电极；

所述栅电极上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的氧化物半导体层；

所述氧化物半导电层上的第一金属氧化物层；

所述第一金属氧化物层上的第一导电层；

所述氧化物半导体层上的第二金属氧化物层；和

所述第二金属氧化物层上的第二导电层；以及

所述氧化物半导体层上的绝缘层，该绝缘层与所述氧化物半导体层的顶表面相接触，

其中，

所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层中的每一个包含铟和锌，

在沟道长度方向上，所述氧化物半导体层的端部延伸到所述第一金属氧化物层或所述第二金属氧化物层的外侧，

所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第一间隙小于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第二间隙，

所述第一间隙是所述第一金属氧化物层的上端部与所述第二金属氧化物层的上端部之间的距离，且所述第二间隙是所述第一导电层的下端部与所述第二导电层的下端部之间的距离，并且

所述氧化物半导体层包括铟、镓及锌。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：

通过所述第一金属氧化物层和所述第一导电层或通过所述第二金属氧化物层和所述第二导电层电连接于所述氧化物半导体层的像素电极。

3.一种半导体装置，包括：

薄膜晶体管，包括：

栅电极；

所述栅电极上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的氧化物半导体层；

所述氧化物半导电层上的第一金属氧化物层；

所述第一金属氧化物层上的第一导电层；

所述氧化物半导体层上的第二金属氧化物层；和

所述第二金属氧化物层上的第二导电层；以及

所述氧化物半导体层、所述第一金属氧化物层、所述第一导电层、所述第二金属氧化物层和所述第二导电层上的绝缘层，该绝缘层与所述氧化物半导体层的顶表面相接触，

其中，

所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层中的每一个包含铟和锌，

在沟道长度方向上，所述氧化物半导体层的端部延伸到所述第一金属氧化物层或所述第二金属氧化物层的外侧，

所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第一间隙小于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第二间隙，

所述第一间隙是所述第一金属氧化物层的上端部与所述第二金属氧化物层的上端部之间的距离，且所述第二间隙是所述第一导电层的下端部与所述第二导电层的下端部之间的距离，

所述栅电极包括铜，

所述栅绝缘层包括第一栅绝缘层和在该第一栅绝缘层上的第二栅绝缘层，

所述第一栅绝缘层是氮化硅膜或氮氧化硅膜。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：

通过所述第一金属氧化物层和所述第一导电层或通过所述第二金属氧化物层和所述第二导电层电连接于所述氧化物半导体层的像素电极。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一栅绝缘层是所述氮氧化硅膜，且所述氮氧化硅膜包括的氮多于氧。

6.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一金属氧化物层的第一部分的顶表面与所述第一导电层相接触，且所述第一金属氧化物层的第二部分的顶表面不与所述第一导电层相接触。

7.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：

在所述栅电极和衬底之间的阻挡层金属，所述薄膜晶体管位于所述衬底之上，

其中，所述阻挡层金属能够防止所述栅电极的扩散。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述阻挡层金属是从由钛、钼、铬、钽、钨和铝构成的组中选择的一种金属的氮化物膜。