[发明专利]一种电压比较器

权利要求书

1.一种电压比较器，其特征在于，包括：

提供输入电流的电流源、第一N-MOS管、第二N-MOS管、第一P-MOS管、有源负载电路、第二P-MOS管、第三P-MOS管、第三N-MOS管和第四N-MOS管；

其中，所述电流源的第一端接地，所述电流源的第二端与所述第一N-MOS管的源极和第二N-MOS管的源极的公共端连接，所述第一N-MOS管的栅极作为所述电压比较器的第一输入端，所述第一N-MOS管的漏极与所述有源负载电路的第一端和第二P-MOS管的栅极连接，所述第二N-MOS管的栅极作为所述电压比较器的第二输入端，所述第二N-MOS管的漏极与所述第一P-MOS管的栅极和源极连接，所述第一P-MOS管的漏极与所述有源负载电路的第二端和第三P-MOS管的栅极连接，所述有源负载电路的第三端、所述第二P-MOS管的漏极和所述第三P-MOS管的漏极与电源端连接，所述第二P-MOS管的源极与所述第三N-MOS管的漏极和第三N-MOS管的栅极连接，所述第三N-MOS管的源极与所述第四N-MOS管的源极接地，所述第三N-MOS管的栅极和所述第四N-MOS管的栅极连接，所述第四N-MOS管的漏极与所述第三P-MOS管的源极作为所述电压比较器的输出端。

2.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，所述有源负载电路具体包括第四P-MOS管和第五P-MOS管；

其中，所述第四P-MOS管的栅极与所述第四P-MOS管的源极连接作为所述有源负载电路的第一端，所述第五P-MOS管的源极作为所述有源负载电路的第二端，所述第四P-MOS管的漏极与所述第五P-MOS管的漏极连接作为所述有源负载电路的第三端。

3.根据权利要求1或2所述的电压比较器，其特征在于，所述电源端的电压为2V。

4.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，所述第一N-MOS管的导通电压为4V、所述第二N-MOS管的导通电压为4V、所述第三N-MOS管的导通电压为4V、所述第四N-MOS管的导通电压为4V。

5.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，所述电流源为恒流电流源。

6.根据权利要求5所述的电压比较器，其特征在于，所述电流源提供的电流为纳安级。