[发明专利]一种电压比较器

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种电压比较器。

背景技术

电压比较器是模数转换器设计中的重要组成部分，也是在各种数字电子系统中应用较为广泛的电路之一。电压比较器可应用于电压监测、电平转换、D/A和A/D转换器、V/F转换、适用于采样跟踪保持电路、过零检测和延迟线的检测，系统级应用包括便携式和电池驱动的系统、扫描仪、机顶盒和高速差分线接收器。电压比较器也用于恢复时钟信号和高速方波。衡量比较器性能的指标一般有共模输入范围、最小差模输入(也就是增益)、传输时延、摆率、单位增益带宽等。电压比较器的性能，尤其是速度、功耗、延时等，对整个电路的速度、功耗和延时都有着至关重要的影响。

由此科技，如何降低电压比较器的功耗和延时是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种电压比较器，用于降低电压比较器的功耗和延时。

为解决上述技术问题，本发明提供一种电压比较器，包括：

提供输入电流的电流源、第一N-MOS管、第二N-MOS管、第一P-MOS管、有源负载电路、第二P-MOS管、第三P-MOS管、第三N-MOS管和第四N-MOS管；

其中，所述电流源的第一端接地，所述电流源的第二端与所述第一N-MOS管的源极和第二N-MOS管的源极的公共端连接，所述第一N-MOS管的栅极作为所述电压比较器的第一输入端，所述第一N-MOS管的漏极与所述有源负载电路的第一端和第二P-MOS管的栅极连接，所述第二N-MOS管的栅极作为所述电压比较器的第二输入端，所述第二N-MOS管的漏极与所述第一P-MOS管的栅极和源极连接，所述第一P-MOS管的漏极与所述有源负载电路的第二端和第三P-MOS管的栅极连接，所述有源负载电路的第三端、所述第二P-MOS管的漏极和所述第三P-MOS管的漏极与电源端连接，所述第二P-MOS管的源极与所述第三N-MOS管的漏极和第三N-MOS管的栅极连接，所述第三N-MOS管的源极与所述第四N-MOS管的源极接地，所述第三N-MOS管的栅极和所述第四N-MOS管的栅极连接，所述第四N-MOS管的漏极与所述第三P-MOS管的源极作为所述电压比较器的输出端。

优选地，所述有源负载电路具体包括第四P-MOS管和第五P-MOS管；

其中，所述第四P-MOS管的栅极与所述第四P-MOS管的源极连接作为所述有源负载电路的第一端，所述第五P-MOS管的源极作为所述有源负载电路的第二端，所述第四P-MOS管的漏极与所述第五P-MOS管的漏极连接作为所述有源负载电路的第三端。

优选地，所述电源端的电压为2V。

优选地，所述第一N-MOS管的导通电压为4V、所述第二N-MOS管的导通电压为4V、所述第三N-MOS管的导通电压为4V、所述第四N-MOS管的导通电压为4V。

优选地，所述电流源为恒流电流源。

优选地，所述电流源提供的电流为纳安级。

本发明所提供的电压比较器，通过上述连接方式，使用较少的电子器件能够实现第一输入端和第二输入端的电压的比较。由于使用的电子器件较少，因此，电压比较器的体积更小，且由于电子器件较少，可以直接地减少电压比较器的功耗和降低延时时间。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的一种电压比较器的结构图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护范围。

本发明的核心是提供一种电压比较器。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。

图1为本发明提供的一种电压比较器的结构图。如图1所示，电压比较器，包括：